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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | 0.600 INCH, PLASTIC, SOP-44 | 针数： | 44 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 55 ns | 启动块： | TOP |
| 命令用户界面： | YES | 数据轮询： | YES |
| 耐久性： | 10000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码： | R-PDSO-G44 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 28.2 mm |
| 内存密度： | 2097152 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 部门数/规模： | 1,2,1,3 | 端子数量： | 44 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 256KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | SOP44,.63 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 编程电压： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 2.8 mm |
| 部门规模： | 16K,8K,32K,64K | 最大待机电流： | 0.00001 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.06 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 切换位： | YES |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 13.3 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| AS29F002T-55T1C | ALSC | Flash, 256KX8, 55ns, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 |
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| AS29F002T-70SC | ETC | x8 Flash EEPROM |
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| AS29F002T-70SI | ETC | x8 Flash EEPROM |
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| AS29F002T-90SC | ETC | x8 Flash EEPROM |
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| AS29F002T-90SI | ETC | x8 Flash EEPROM |
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| AS29F010 | ALSC | 5V 128K x 8 CMOS FLASH EEPROM |
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