2025年3月11日，半导体行业迎来了一场革命性的突破。青禾晶元集团在香港隆重举办新品发布会，正式推出了全球首台独立研发的C2W&W2W双模式混合键合设备SAB 82CWW系列。这一里程碑式的成果不仅标志着青禾晶元在先进封装技术领域的深厚积累与创新实力，更为国产替代的加速推进注入了强劲动力。

发布会现场汇聚了半导体行业的顶尖专家、学者及媒体，共同见证了这一颠覆性技术的诞生。表面活化键合技术之父、混合键合技术的首次提出者须贺唯知教授也亲临现场，对青禾晶元的这一成就给予了高度评价。

随着半导体制程工艺的不断逼近物理极限，传统制程微缩面临诸多挑战。混合键合技术能够在三维空间重构芯片架构，实现“功能拼图”式的性能跃升，为延续摩尔定律和超越摩尔定律提供了全新的发展路径。然而，传统技术路线长期面临W2W(晶圆对晶圆)与C2W(芯片对晶圆)的艰难抉择：W2W追求极致效率但良率风险高，C2W灵活创新却量产效率低。青禾晶元推出的SAB 82CWW系列设备，成功打破了这一技术困境，实现了C2W与W2W技术的“协同进化”。

SAB 82CWW系列设备采用了全球先进的一体化设备架构，将C2W和W2W两种技术路线完美融合。这一创新设计不仅提高了设备的通用性和灵活性，还为客户提供了更大的选择空间，满足了不同应用场景的需求。该设备具备多项技术亮点，包括双模工艺集成、多尺寸兼容、超强芯片处理能力、兼容不同的对准方式、创新的键合方式以及高精度、高效率等。

尤为值得一提的是，SAB 82CWW系列设备在精度和效率上均达到了国际领先水平。C2W和W2W键合技术实现了±30nm的对准精度和±100nm的键合精度，C2W单键合头UPH最高可达1000片/小时。此外，设备还配备了高精度高通量检测模块和内置算法，实现了负反馈偏移补偿，确保了键合精度的稳定性和一致性。

青禾晶元的这一突破，不仅解决了行业长期面临的“二选一”困境，更为AI芯片、HBM存储、Micro-LED显示、3D NAND等领域注入了强大动力，赋能未来科技发展。这一成果的实现，离不开青禾晶元在先进封装技术领域的深厚积累和持续创新。

作为国内外少数掌握高精度C2W及W2W混合键合、超高真空常温键合、高精度热压键合等核心技术的企业之一，青禾晶元已向国内头部企业及科研机构交付了30余台设备。其自主研发的12寸C2W混合键合机键合后精度优于100nm，性能比肩国际龙头EVG。

此次SAB 82CWW系列设备的推出，不仅标志着青禾晶元在先进封装技术领域的又一次重大突破，更为国产替代的加速推进提供了有力支撑。在半导体制造的后道工艺中，键合设备直接决定芯片的可靠性及封装密度。然而，长期以来，国内高端键合设备市场被海外企业高度垄断，国产化率不足5%。青禾晶元的这一突破，将有望打破这一格局，加速国产替代的进程。

展望未来，青禾晶元将继续深耕先进封装技术，以SAB 82CWW系列为起点，持续投入研发，推出更多满足客户需求的产品。同时，青禾晶元也将携手全球合作伙伴，共同推动半导体异质集成技术迈向新高度，为中国半导体产业的自主可控和高质量发展贡献力量。