近日，日本网络金融巨头SBI Holdings(以下简称SBI)传出消息称，正计划在日本宫城县建立一座芯片厂，并正与台湾联华电子股份有限公司(以下简称联电)及韩国SK海力士(SK Hynix)就合作事宜展开谈判。这一消息引发了业界的广泛关注。

据报道，SBI原本计划与台湾晶圆代工大厂力积电(PSMC)合作在宫城县兴建晶圆厂，但双方在2024年9月底解除了合作关系。SBI当时表示，解除合作后仍将继续推进宫城工厂的建设计划，并积极寻求新的合作伙伴。此次传出与联电和SK海力士的谈判合作，便是SBI寻找新合作伙伴的又一举措。

据了解，SBI计划建设的这座芯片厂将分为两期工程。第一期工程目标在2027年投产，月产能预计为1万片12英寸硅晶圆，主要生产40纳米(nm)和55nm芯片。第二期工程则预计在2029年投产，除了继续生产40nm和55nm产品外，还将生产28nm以及采用WoW(Wafer-on-Wafer)技术的芯片。届时，工厂满载生产时的月产能将达到4万片。

对于此次合作，市场传闻称SBI计划与SK海力士在后端DRAM工艺方面展开合作，而与联电的合作则主要聚焦在汽车芯片领域。然而，这一消息随后遭到了SBI发言人的否认。据路透社报道，SBI发言人表示，“该报道不属实”。尽管如此，业界仍普遍认为，SBI与联电和SK海力士的谈判合作具有极大的可能性，毕竟这三家公司在半导体领域都具备强大的实力和丰富的经验。

值得一提的是，SBI在2023年8月曾与力积电成立合资公司，并宣布在宫城县建设半导体厂。当时，该计划预计总投资额为8000亿日元，政府预计在初期投资阶段提供最多1400亿日元的补助。然而，由于力积电方面因台湾证券交易法的限制而无法主导性持股日本新厂，双方最终解除了合作关系。尽管如此，SBI仍坚持推进芯片厂的建设计划，并寻求新的合作伙伴。

联电作为全球领先的半导体制造公司之一，在汽车芯片领域具有显著的优势。随着全球汽车产业的快速发展和电动化趋势的加剧，汽车芯片的需求量不断攀升。联电凭借其在半导体制造领域的深厚底蕴和技术实力，有望为SBI的芯片厂提供强有力的支持。

而SK海力士作为全球知名的存储芯片制造商，其在DRAM领域的技术实力和市场占有率均处于领先地位。与SBI的合作将有助于SK海力士进一步拓展其在后端DRAM工艺方面的业务，并提升其在全球半导体市场的竞争力。

尽管SBI对与联电和SK海力士的谈判合作持谨慎态度，但业界普遍认为这一合作具有极大的潜力和前景。随着全球半导体产业的快速发展和竞争的加剧，企业之间的合作已成为推动行业发展的重要动力。SBI与联电和SK海力士的合作将有助于提升日本在全球半导体产业的地位和影响力，并促进该产业的进一步发展。

对于未来，SBI表示将继续积极推进芯片厂的建设计划，并寻求更多的合作伙伴和投资机会。同时，联电和SK海力士也表示将密切关注市场动态和行业发展趋势，积极寻求与优质企业的合作机会。这一系列的举措和合作无疑将为全球半导体产业的发展注入新的活力和动力。