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APTSM120AM25CT3AG

更新时间： 2024-02-17 17:07:28

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美高森美 - MICROSEMI		/
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7页	569K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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APTSM120AM25CT3AG 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
Base Number Matches：	1

APTSM120AM25CT3AG 数据手册

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APTSM120AM25CT3AG

Typical SiC MOSFET Performance Curve

Output Characteristics

160

V_GS=20V

120

V_GS=18V

120

V_GS=18V

V_GS=15V

T_J=175°C

T_J=25°C

V_DS, Drain Source Voltage (V)

TransfertCharacteristics

Norm alized R_DS(on)vs. Temperature

160

120

1.75

1.5

V_GS=20V

I_D=80A

T_J=175°C

1.25

T_J=25°C

0.75

75 100 125 150 175

V_GS, Gate Source Voltage (V)

T_J, Junction Temperature (°C)

inductive switching energy vs RG

Inductive switching energy vs current

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

V_GS=-5/20V

R_G= 1.25Ω

Eon

V_BUS= 600V

T_J= 150°C

Eoff

V_GS=-5/20V

I_D= 80A

V_BUS= 600V

T_J= 150°C

20 40 60 80 100 120 140 160

1.5

2.5

3.5

Drain current (A)

Gate Resistance (Ohms)

Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junctionto Case vs Pulse Duration

0.18

0.16

0.14

0.12

0.1

D = 0.9

0.7

0.5

0.08

0.06

0.04

0.02

0.3

0.1

Single Pulse

0.05

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

rectangular Pulse Duration (Seconds)

4 - 7

www.microsemi.com

1 2 345 6 7

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