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AN28F256A-120

更新时间： 2024-02-07 06:13:18

品牌	Logo	应用领域
英特尔 - INTEL		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
25页	886K
描述
Flash, 32KX8, 120ns, PQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, PLASTIC, LCC-32

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AN28F256A-120 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFJ	包装说明：	QCCJ, LDCC32,.5X.6
针数：	32	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	120 ns	其他特性：	BYTE PROGRAMMABLE; BULK ERASE
命令用户界面：	YES	数据轮询：	NO
耐久性：	1000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PQCC-J32
JESD-609代码：	e0	长度：	13.97 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QCCJ
封装等效代码：	LDCC32,.5X.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
编程电压：	12 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.55 mm	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	NO
类型：	NOR TYPE	宽度：	11.43 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...25

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
AN28F256A-150	INTEL	Flash, 32KX8, 150ns, PQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, PLASTIC, LCC-32	获取价格
AN28F512	INTEL	512K (64K x 8) CMOS FLASH MEMORY	获取价格
AN28F512-120	INTEL	512K (64K x 8) CMOS FLASH MEMORY	获取价格
AN28F512-150	INTEL	512K (64K x 8) CMOS FLASH MEMORY	获取价格
AN28F512-170	INTEL	Flash, 64KX8, 170ns, PQCC32	获取价格
AN28F512-200	INTEL	Flash, 64KX8, 200ns, PQCC32	获取价格