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AMP01BTC/883

更新时间： 2024-02-26 14:22:41
品牌 Logo 应用领域
亚德诺 - ADI 仪表放大器
页数 文件大小 规格书
22页 247K
描述
IC INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 150 uV OFFSET-MAX, 0.57 MHz BAND WIDTH, CQCC28, CERAMIC, LCC-28, Instrumentation Amplifier

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AMP01BTC/883 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：QLCC
包装说明：QCCN,针数：28
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.65
Is Samacsys：N放大器类型：INSTRUMENTATION AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)：0.015 µA标称带宽 (3dB)：0.57 MHz
最小共模抑制比：75 dB最大输入失调电流 (IIO)：0.002 µA
最大输入失调电压：150 µVJESD-30 代码：S-CQCC-N28
JESD-609代码：e0长度：11.43 mm
负供电电压上限：-18 V标称负供电电压 (Vsup)：-15 V
最大非线性：0.005%功能数量：1
端子数量：28最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：QCCN封装形状：SQUARE
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：220
认证状态：MILITARY座面最大高度：2.54 mm
标称压摆率：4.5 V/us子类别：Instrumentation Amplifier
供电电压上限：18 V标称供电电压 (Vsup)：15 V
表面贴装：YES温度等级：MILITARY
端子面层：TIN LEAD端子形式：NO LEAD
端子节距：1.27 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：30最大电压增益：10000
最小电压增益：0.1宽度：11.43 mm
Base Number Matches：1

AMP01BTC/883 数据手册

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AMP01  
(@ VS = ؎15 V, RS = 10 k⍀, RL = 2 k⍀, TA = +25؇C, –25؇C ≤ TA ≤ +85؇C for E, F  
grades, 0؇C ≤ TA ≤ +70؇C for G grade, unless otherwise noted)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
AMP01E  
Min Typ Max  
AMP01F/G  
Min Typ Max  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Units  
OFFSET VOLTAGE  
Input Offset Voltage  
VIOS  
TA = +25°C  
20  
40  
50  
80  
40  
60  
0.3  
2
100  
150  
1.0  
6
µV  
µV  
µV/°C  
mV  
mV  
TMIN ≤ TA ≤ TMAX  
TMIN ≤ TA ≤ TMAX  
TA = +25°C  
1
Input Offset Voltage Drift  
Output Offset Voltage  
TCVIOS  
VOOS  
0.15 0.3  
1
3
3
6
TMIN ≤ TA ≤ TMAX  
6
10  
1
Output Offset Voltage Drift  
TCVOOS  
PSR  
RG = ∞  
TMIN ≤ TA ≤ TMAX  
G = 1000  
G = 100  
20  
100  
50  
120  
µV/°C  
dB  
dB  
dB  
dB  
Offset Referred to Input  
vs. Positive Supply  
V+ = +5 V to +15 V  
120  
110  
95  
130  
130  
110  
90  
110  
100  
90  
120  
120  
100  
80  
G = 10  
G = 1  
75  
70  
TMIN ≤ TA ≤ TMAX  
G = 1000  
G = 100  
G = 10  
120  
110  
95  
75  
110  
95  
130  
130  
110  
90  
125  
105  
85  
110  
100  
90  
70  
105  
90  
120  
120  
100  
80  
115  
95  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
G = 1  
Offset Referred to Input  
vs. Negative Supply  
V– = –5 V to –15 V  
PSR  
G = 1000  
G = 100  
G = 10  
75  
55  
70  
50  
75  
60  
G = 1  
65  
TMIN ≤ TA ≤ TMAX  
G = 1000  
G = 100  
G = 10  
G = 1  
110  
95  
75  
125  
105  
85  
105  
90  
70  
115  
95  
75  
dB  
dB  
dB  
dB  
55  
85  
50  
60  
Input Offset Voltage Trim  
Range  
Output Offset Voltage Trim  
Range  
VS = ±4.5 V to ±18 V2  
VS = ±4.5 V to ±18 V2  
±6  
±6  
mV  
mV  
±100  
±100  
INPUT CURRENT  
Input Bias Current  
IB  
TA = +25°C  
1
4
40  
0.2  
0.5  
3
4
10  
2
6
50  
0.5  
1.0  
5
6
15  
mV  
mV  
pA/°C  
mV  
mV  
TMIN ≤ TA ≤ TMAX  
TMIN ≤ TA ≤ TMAX  
TA = +25°C  
TMIN ≤ TA ≤ TMAX  
TMIN ≤ TA ≤ TMAX  
Input Bias Current Drift  
Input Offset Current  
TCIB  
IOS  
1.0  
3.0  
2.0  
6.0  
Input Offset Current Drift  
TCIOS  
RIN  
pA/°C  
INPUT  
Input Resistance  
Differential, G = 1000  
Differential, G ≤ 100  
Common Mode, G = 1000  
TA = +25°C3  
TMIN ≤ TA ≤ TMAX  
VCM = ±10 V, 1 kΩ  
Source Imbalance  
G = 1000  
1
10  
20  
1
10  
20  
GΩ  
GΩ  
GΩ  
V
Input Voltage Range  
IVR  
±10.5  
±10.0  
±10.5  
±10.0  
V
Common-Mode Rejection  
CMR  
125  
120  
100  
85  
130  
130  
120  
100  
115  
110  
95  
125  
125  
110  
90  
dB  
dB  
dB  
dB  
G = 100  
G = 10  
G = 1  
75  
TMIN ≤ TA ≤ TMAX  
G = 1000  
G = 100  
G = 10  
G = 1  
120  
115  
95  
125  
125  
115  
95  
110  
105  
90  
120  
120  
105  
90  
dB  
dB  
dB  
dB  
80  
75  
NOTES  
1Sample tested.  
2VIOS and VOOS nulling has minimal affect on TCVIOS and TCVOOS, respectively.  
3Refer to section on common-mode rejection.  
Specifications subject to change without notice.  
REV. D  
–3–  
1234567...22

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