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Datasheet > 放大器电路 > 仪表放大器> AMP01BTC/883
AMP01BTC/883 PDF预览

AMP01BTC/883

更新时间： 2024-01-16 18:27:40
品牌 Logo 应用领域
亚德诺 - ADI 仪表放大器
页数 文件大小 规格书
22页 247K
描述
IC INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 150 uV OFFSET-MAX, 0.57 MHz BAND WIDTH, CQCC28, CERAMIC, LCC-28, Instrumentation Amplifier

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AMP01BTC/883 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：QLCC
包装说明：QCCN,针数：28
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.65
Is Samacsys：N放大器类型：INSTRUMENTATION AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)：0.015 µA标称带宽 (3dB)：0.57 MHz
最小共模抑制比：75 dB最大输入失调电流 (IIO)：0.002 µA
最大输入失调电压：150 µVJESD-30 代码：S-CQCC-N28
JESD-609代码：e0长度：11.43 mm
负供电电压上限：-18 V标称负供电电压 (Vsup)：-15 V
最大非线性：0.005%功能数量：1
端子数量：28最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：QCCN封装形状：SQUARE
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：220
认证状态：MILITARY座面最大高度：2.54 mm
标称压摆率：4.5 V/us子类别：Instrumentation Amplifier
供电电压上限：18 V标称供电电压 (Vsup)：15 V
表面贴装：YES温度等级：MILITARY
端子面层：TIN LEAD端子形式：NO LEAD
端子节距：1.27 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：30最大电压增益：10000
最小电压增益：0.1宽度：11.43 mm
Base Number Matches：1

AMP01BTC/883 数据手册

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AMP01  
WAFER TEST LIMITS (@ VS = ؎15 V, RS = 10 k⍀, RL = 2 k⍀, TA = +25؇C, unless otherwise noted)  
AMP01NBC  
AMP01GBC  
Limit  
Parameter  
Symbol Conditions  
Limit  
Units  
Input Offset Voltage  
Output Offset Voltage  
Offset Referred to Input  
vs. Positive Supply  
VIOS  
VOOS  
PSR  
60  
4
120  
8
µV max  
mV max  
dB min  
dB min  
dB min  
dB min  
dB min  
dB min  
dB min  
dB min  
dB min  
dB min  
nA max  
nA max  
V min  
V+ = +5 V to +15 V  
G = 1000  
G = 100  
G = 10  
120  
110  
95  
110  
100  
90  
G = 1  
75  
70  
Offset Referred to Input  
vs. Negative Supply  
PSR  
V– = –5 V to –15 V  
G = 1000  
G = 100  
G = 10  
105  
90  
70  
50  
4
1
±10  
105  
90  
70  
50  
8
3
±10  
G = 1  
Input Bias Current  
IB  
IOS  
IVR  
CMR  
Input Offset Current  
Input Voltage Range  
Common Mode Rejection  
Guaranteed by CMR Tests  
VCM = ±10 V  
G = 1000  
G = 100  
G = 10  
dB min  
dB min  
dB min  
dB min  
dB min  
125  
120  
100  
85  
115  
110  
95  
G = 1  
75  
20 × RS  
RG  
Gain Equation Accuracy  
Output Voltage Swing  
G =  
0.6  
0.8  
% max  
VOUT  
VOUT  
VOUT  
RL = 2 kΩ  
RL = 500 Ω  
RL = 50 Ω  
Output to Ground Short  
Output to Ground Short  
+V Linked to +VOP  
–V Linked to –VOP  
±13  
±13  
±2.5  
±60  
±120  
4.8  
±13  
±13  
±2.5  
±60  
±120  
4.8  
V min  
V min  
V min  
mA min  
mA max  
mA max  
mA max  
Output Current Limit  
Output Current Limit  
Quiescent Current  
IQ  
4.8  
4.8  
NOTE  
Electrical tests are performed at wafer probe to the limits shown. Due to variations in assembly methods and normal yield loss, yield after packaging is not guaranteed  
for standard product dice. Consult factory to negotiate specifications based on dice lot qualification through sample lot assembly and testing.  
V+  
V
IOS  
+V  
NULL  
OP  
A1  
OUTPUT  
250⍀  
250⍀  
–V  
OP  
–IN  
+IN  
Q1  
Q2  
REFERENCE  
R1  
47.5k⍀  
R3  
47.5k⍀  
R
GAIN  
SENSE  
A2  
A3  
R
SCALE  
R2  
2.5k⍀  
R4  
2.5k⍀  
V
NULL  
OOS  
V–  
Figure 1. Simplified Schematic  
CAUTION  
ESD (electrostatic discharge) sensitive device. Electrostatic charges as high as 4000 V readily  
accumulate on the human body and test equipment and can discharge without detection.  
Although the AMP01 features proprietary ESD protection circuitry, permanent damage may  
occur on devices subjected to high energy electrostatic discharges. Therefore, proper ESD  
precautions are recommended to avoid performance degradation or loss of functionality.  
WARNING!  
ESD SENSITIVE DEVICE  
REV. D  
–6–  
1...3456789...22

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