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AMMP-6430-TR1G

更新时间: 2024-02-01 07:15:04
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安华高科 - AVAGO 射频和微波射频放大器微波放大器功率放大器
页数 文件大小 规格书
11页 900K
描述
27-32 GHz 0.5W Power Amplifier in SMT Package

AMMP-6430-TR1G 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete包装说明:LCC8,.2SQ,28
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A001.B.2.D
HTS代码:8542.33.00.01风险等级:5.8
Is Samacsys:N特性阻抗:50 Ω
构造:COMPONENT增益:16 dB
最大输入功率 (CW):23 dBm安装特点:SURFACE MOUNT
功能数量:1端子数量:8
最大工作频率:34000 MHz最小工作频率:27000 MHz
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装等效代码:LCC8,.2SQ,28
电源:5 V射频/微波设备类型:WIDE BAND MEDIUM POWER
子类别:RF/Microwave Amplifiers表面贴装:YES
Base Number Matches:1

AMMP-6430-TR1G 数据手册

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DET_O  
1
3
2
RF Input  
RF Output  
8
4
Pin  
1
Function  
Vgg  
2
Vdd  
3
4
5
6
DET_O  
RF_out  
DET_R  
Vdd  
7
6
5
DET_R  
7
8
Vgg  
RF_in  
50Ω  
5V  
0.8V  
1μF 100 pF  
100 pF 1μF  
Figure 13. Typical DC connection  
20  
|Icomp(I_METER.AMP1,0)| (mA)  
Diode_current  
18  
16  
14  
12  
10  
8
6
4
2
0
5
5.5  
6
6.5  
Voltage (V)  
7
7.5  
8
Figure 14. Typical ESD diode current versus diode voltage for 11-connected diodes in series  
7

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