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Datasheet > 信号电路 > 运动控制电子器件> AMIS30422C422G
AMIS30422C422G PDF预览

AMIS30422C422G

更新时间： 2024-02-18 23:48:57
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 电机控制器
页数 文件大小 规格书
45页 486K
描述
Micro-Stepping Stepper Motor Bridge Controller

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AMIS30422C422G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：HVQCCN, LCC48,.28SQ,20针数：48
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8542.39.00.01
Factory Lead Time：96 weeks风险等级：5.73
模拟集成电路 - 其他类型：STEPPER MOTOR CONTROLLERJESD-30 代码：S-XQCC-N48
JESD-609代码：e3长度：7 mm
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：48最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：HVQCCN封装等效代码：LCC48,.28SQ,20
封装形状：SQUARE封装形式：CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
电源：3.3,6/30 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1 mm子类别：Motion Control Electronics
最大供电电流 (Isup)：20 mA最大供电电压 (Vsup)：30 V
最小供电电压 (Vsup)：6 V表面贴装：YES
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子节距：0.5 mm
端子位置：QUAD宽度：7 mm
Base Number Matches：1

AMIS30422C422G 数据手册

 浏览型号AMIS30422C422G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AMIS30422C422G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AMIS30422C422G的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AMIS30422C422G的Datasheet PDF文件第9页浏览型号AMIS30422C422G的Datasheet PDF文件第10页浏览型号AMIS30422C422G的Datasheet PDF文件第11页 
AMIS−30422  
Table 4. DC PARAMETERS  
The DC parameters are given for V and temperature in their operating ranges unless otherwise specified.  
BB  
Convention: currents flowing in the circuit are defined as positive.  
Symbol  
Pin(s)  
Parameter  
Remark/Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
PACKAGE THERMAL RESISTANCE VALUE  
Simulated Conform  
30  
60  
K/W  
K/W  
K/W  
JEDEC JESD−51, (2S2P)  
Thermal Resistance  
Junction−to−Ambient  
Rth  
Rth  
ja  
Simulated Conform  
JEDEC JESD−51, (1S0P)  
Thermal Resistance  
Junction−to−Exposed Pad  
0.95  
jp  
Table 5. AC PARAMETER The AC parameters are given for V and temperature in their operating ranges unless otherwise  
BB  
specified.  
Symbol  
Pin(s)  
Parameter  
Remark/Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
INTERNAL OSCILLATOR  
f
Frequency of internal oscillator  
6.4  
8
9.6  
MHz  
osc  
POWER−UP  
t
Power−up time  
Reset duration  
Reset filter time  
SPI Delay  
C
= 200 nF, See Figure 4  
See Figure 4  
60  
120  
15  
ms  
ms  
ms  
PU  
VDD  
t
80  
1
100  
25  
POR  
POR  
t
See Figure 4  
RF  
t
See Figure 4  
500  
ms  
DSPI  
PREDRIVER  
Frequency depends only on  
internal oscillator  
f
PWM frequency  
20  
30  
kHz  
ns  
ns  
ns  
%
PWM  
Selectable through SPI.  
See Figure 11.  
t
1
t
2
Bridge MOSFET switch on time t  
Bridge MOSFET switch on time t  
Bridge MOSFET switch off time  
375  
1250  
4750  
4750  
+20  
1
Selectable through SPI.  
See Figure 11.  
1250  
1250  
−20  
2
Selectable through SPI.  
See Figure 11.  
t
off  
Bridge MOSFET switch on/off toler-  
ance  
t
switch_tol  
t
Open circuit time out  
Open circuit time out accuracy  
Non overlap time  
Selectable through SPI  
Selectable through SPI  
0.32  
−20  
0
163.84  
+20  
ms  
%
open  
topen_acc  
t
500  
ns  
%
nocross  
t
Non overlap accuracy  
−20  
+20  
nocross_acc  
http://onsemi.com  
8
 
1...567891011...45

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