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AM29DL642G90MDI

更新时间: 2024-02-23 07:55:45
品牌 Logo 应用领域
超微 - AMD /
页数 文件大小 规格书
54页 832K
描述
128 Megabit (8 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Simultaneous Read/Write Flash Memo

AM29DL642G90MDI 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:10.95 X 11.95 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, FBGA-63
针数:63Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:3A991.B.1.AHTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.81最长访问时间:90 ns
启动块:BOTTOM/TOP命令用户界面:YES
通用闪存接口:YES数据轮询:YES
JESD-30 代码:R-PBGA-B63JESD-609代码:e0
长度:11.95 mm内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:FLASH MODULE内存宽度:16
湿度敏感等级:3功能数量:1
部门数/规模:16,126端子数量:63
字数:8388608 words字数代码:8000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:8MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:LFBGA
封装等效代码:BGA63,8X12,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):240电源:3/3.3 V
编程电压:3.3 V认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES座面最大高度:1.4 mm
部门规模:4K,32K最大待机电流:0.00001 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.045 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:30切换位:YES
类型:NOR TYPE宽度:10.95 mm

AM29DL642G90MDI 数据手册

 浏览型号AM29DL642G90MDI的Datasheet PDF文件第47页浏览型号AM29DL642G90MDI的Datasheet PDF文件第48页浏览型号AM29DL642G90MDI的Datasheet PDF文件第49页浏览型号AM29DL642G90MDI的Datasheet PDF文件第51页浏览型号AM29DL642G90MDI的Datasheet PDF文件第52页浏览型号AM29DL642G90MDI的Datasheet PDF文件第53页 
P R E L I M I N A R Y  
AC CHARACTERISTICS  
Alternate CE# Controlled Erase and Program Operations  
Parameter  
Speed Options  
JEDEC  
tAVAV  
Std.  
tWC  
tAS  
Description  
70  
90  
Unit  
ns  
Write Cycle Time (Note 1)  
Address Setup Time  
Address Hold Time  
Data Setup Time  
Data Hold Time  
Min  
Min  
Min  
Min  
Min  
70  
90  
tAVWL  
tELAX  
tDVEH  
tEHDX  
0
ns  
tAH  
40  
40  
45  
45  
ns  
tDS  
ns  
tDH  
0
0
ns  
Read Recovery Time Before Write  
(OE# High to WE# Low)  
tGHEL  
tGHEL  
Min  
ns  
tWLEL  
tEHWH  
tELEH  
tWS  
tWH  
WE# Setup Time  
Min  
Min  
Min  
Min  
Typ  
Typ  
Typ  
0
0
ns  
ns  
WE# Hold Time  
tCP  
CE# Pulse Width  
40  
45  
ns  
tEHEL  
tCPH  
CE# Pulse Width High  
30  
7
ns  
tWHWH1  
tWHWH1  
tWHWH2  
tWHWH1  
tWHWH1  
tWHWH2  
Programming Operation (Note 2)  
Accelerated Programming Operation (Note 2)  
Sector Erase Operation (Note 2)  
µs  
4
µs  
0.4  
sec  
Notes:  
1. Not 100% tested.  
2. See the “Erase And Programming Performance” section for more information.  
48  
Am29DL642G  
June 10, 2005  

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