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AM29DL642G90I

更新时间： 2024-02-09 20:57:10

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超微 - AMD		/
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54页	832K
描述
128 Megabit (8 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Simultaneous Read/Write Flash Memo

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AM29DL642G90I 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	10.95 X 11.95 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, FBGA-63
针数：	63	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.81	最长访问时间：	90 ns
启动块：	BOTTOM/TOP	命令用户界面：	YES
通用闪存接口：	YES	数据轮询：	YES
JESD-30 代码：	R-PBGA-B63	JESD-609代码：	e0
长度：	11.95 mm	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	FLASH MODULE	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
部门数/规模：	16,126	端子数量：	63
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	8MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LFBGA
封装等效代码：	BGA63,8X12,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	3/3.3 V
编程电压：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.4 mm
部门规模：	4K,32K	最大待机电流：	0.00001 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.045 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	10.95 mm

AM29DL642G90I 数据手册

P R E L I M I N A R Y

ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE

Parameter

Typ (Note 1) Max (Note 2)

Unit

sec

µs

Comments

Sector Erase Time

Chip Erase Time

0.4

Excludes 00h programming

prior to erasure (Note 4)

Accelerated Word Program Time

Word Program Time

Chip Program Time (Note 3)

Notes:

120

210

Excludes system level

overhead (Note 5)

µs

sec

1. Typical program and erase times assume the following conditions: 25°C, 3.0 V V_CC, 1,000,000 cycles. Additionally,

programming typicals assume checkerboard pattern.

2. Under worst case conditions of 90°C, V_CC= 2.7 V, 1,000,000 cycles.

3. The typical chip programming time is considerably less than the maximum chip programming time listed, since most bytes

program faster than the maximum program times listed.

4. In the pre-programming step of the Embedded Erase algorithm, all bytes are programmed to 00h before erasure.

5. System-level overhead is the time required to execute the two- or four-bus-cycle sequence for the program command. See Table

13 for further information on command definitions.

6. The device has a minimum erase and program cycle endurance of 1,000,000 cycles.

LATCHUP CHARACTERISTICS

Description

Min

Max

Input voltage with respect to V_SSon all pins except I/O pins

(including A9, OE#, and RESET#)

–1.0 V

12.5 V

Input voltage with respect to V_SSon all I/O pins

V_CCCurrent

–1.0 V

V_CC+ 1.0 V

+100 mA

–100 mA

Note: Includes all pins except V_CC. Test conditions: V_CC= 3.0 V, one pin at a time.

DATA RETENTION

Parameter Description

Test Conditions

Min

Unit

Years

150°C

125°C

Minimum Pattern Data Retention Time

Am29DL642G

June 10, 2005

1...49 50 515253 54

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与AM29DL642G90I相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
AM29DL642G90MDI	AMD	128 Megabit (8 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Simultaneous Read/Write Flash Memo	获取价格
AM29DL800B	AMD	8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Me	获取价格
AM29DL800B_06	AMD	8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Me	获取价格
AM29DL800B-100EC	SPANSION	Flash, 1MX8, 100ns, PDSO48, TSOP-48	获取价格
AM29DL800B-100ED	SPANSION	Flash, 1MX8, 100ns, PDSO48, TSOP-48	获取价格
AM29DL800B-100EF	SPANSION	Flash, 1MX8, 100ns, PDSO48, TSOP-48	获取价格

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