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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.8 |
| 最长访问时间： | 70 ns | 备用内存宽度： | 8 |
| 启动块： | BOTTOM/TOP | 命令用户界面： | YES |
| 通用闪存接口： | YES | 数据轮询： | YES |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B63 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 67108864 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 16 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 部门数/规模： | 16,126 | 端子数量： | 63 |
| 字数： | 4194304 words | 字数代码： | 4000000 |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 4MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | FBGA | 封装等效代码： | BGA63,8X12,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 3/3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 就绪/忙碌： | YES |
| 部门规模： | 8K,64K | 最大待机电流： | 0.000005 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.045 mA |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 切换位： | YES |
| 类型： | NOR TYPE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| AM29DL640G70EE | AMD | 64 Megabit (8 M x 8-Bit/4 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Read/Write Flash Me |
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| AM29DL640G70EEN | AMD | 64 Megabit (8 M x 8-Bit/4 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Read/Write Flash Me |
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| AM29DL640G70EI | AMD | 64 Megabit (8 M x 8-Bit/4 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Read/Write Flash Me |
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| AM29DL640G70EI | SPANSION | 64 Megabit (8 M x 8-Bit/4 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Read/Write Flash Me |
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| AM29DL640G70EIN | AMD | 64 Megabit (8 M x 8-Bit/4 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Read/Write Flash Me |
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| AM29DL640G70EIN | SPANSION | Flash, 4MX16, 70ns, PDSO48, |
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