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AM29DL164DT120EF

更新时间: 2024-02-16 23:42:32
品牌 Logo 应用领域
飞索 - SPANSION 光电二极管内存集成电路闪存
页数 文件大小 规格书
57页 1243K
描述
Flash, 1MX16, 120ns, PDSO48, LEAD FREE, MO-142BDD, TSOP-48

AM29DL164DT120EF 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
包装说明:TSSOP, TSSOP48,.8,20Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.79Is Samacsys:N
最长访问时间:120 ns备用内存宽度:8
启动块:TOP命令用户界面:YES
通用闪存接口:YES数据轮询:YES
JESD-30 代码:R-PDSO-G48内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:16
部门数/规模:8,31端子数量:48
字数:1048576 words字数代码:1000000
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:1MX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP封装等效代码:TSSOP48,.8,20
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行:PARALLEL电源:3/3.3 V
认证状态:Not Qualified就绪/忙碌:YES
部门规模:8K,64K最大待机电流:0.000005 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.045 mA
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
切换位:YES类型:NOR TYPE
Base Number Matches:1

AM29DL164DT120EF 数据手册

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D A T A S H E E T  
PRODUCT SELECTOR GUIDE  
Part Number  
Am29DL16xD  
Speed Option  
Standard Voltage Range: VCC = 2.7–3.6 V  
70  
70  
70  
30  
90  
90  
90  
40  
120  
120  
120  
50  
Max Access Time (ns)  
CE# Access (ns)  
OE# Access (ns)  
BLOCK DIAGRAM  
OE# BYTE#  
V
V
CC  
SS  
Upper Bank Address  
A0–A19  
Upper Bank  
RY/BY#  
X-Decoder  
A0–A19  
RESET#  
STATE  
CONTROL  
&
COMMAND  
REGISTER  
WE#  
CE#  
Status  
DQ0–DQ15  
BYTE#  
Control  
WP#/ACC  
DQ0–DQ15  
X-Decoder  
Lower Bank  
A0–A19  
Lower Bank Address  
OE# BYTE#  
6
Am29DL16xD  
21533E6 February 26, 2009  

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