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AM29DL164DB70PCI

更新时间： 2024-01-18 10:14:19

品牌	Logo	应用领域
超微 - AMD		闪存内存集成电路
页数	文件大小	规格书
57页	1258K
描述
16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory

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AM29DL164DB70PCI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA48,6X8,32
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.24	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	20 YEAR DATA RETENTION
备用内存宽度：	8	启动块：	BOTTOM
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	YES	数据保留时间-最小值：	20
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	JESD-609代码：	e0
长度：	9 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	部门数/规模：	8,31
端子数量：	48	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	1MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA48,6X8,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3/3.3 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	8K,64K	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.045 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
AM29DL164DB70VRF	SPANSION	Flash, 1MX16, 70ns, PBGA48, 8.15 X 6.15 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, VBGA-48	获取价格
AM29DL164DB70VRF	AMD	16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Mem	获取价格
AM29DL164DB70VRI	AMD	16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Mem	获取价格
AM29DL164DB70WCF	AMD	16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Mem	获取价格
AM29DL164DB70WCI	AMD	16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Mem	获取价格
AM29DL164DB70WCI	SPANSION	Flash, 1MX16, 70ns, PBGA48, 8 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-48	获取价格