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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | TFBGA, BGA48,6X8,32 |
| 针数： | 48 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.24 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 70 ns | 其他特性： | 20 YEAR DATA RETENTION |
| 备用内存宽度： | 8 | 启动块： | BOTTOM |
| 命令用户界面： | YES | 通用闪存接口： | YES |
| 数据轮询： | YES | 数据保留时间-最小值： | 20 |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B48 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 9 mm | 内存密度： | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 部门数/规模： | 8,31 |
| 端子数量： | 48 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 1MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TFBGA | 封装等效代码： | BGA48,6X8,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 3/3.3 V |
| 编程电压： | 3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 就绪/忙碌： | YES | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 部门规模： | 8K,64K | 最大待机电流： | 0.000005 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.045 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 切换位： | YES | 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 8 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| AM29DL164DB70VRF | SPANSION | Flash, 1MX16, 70ns, PBGA48, 8.15 X 6.15 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, VBGA-48 |
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| AM29DL164DB70VRF | AMD | 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Mem |
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| AM29DL164DB70VRI | AMD | 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Mem |
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| AM29DL164DB70WCF | AMD | 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Mem |
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| AM29DL164DB70WCI | AMD | 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Mem |
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| AM29DL164DB70WCI | SPANSION | Flash, 1MX16, 70ns, PBGA48, 8 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-48 |
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