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AM29DL162DT90VRF

更新时间: 2024-02-01 00:50:55
品牌 Logo 应用领域
飞索 - SPANSION 内存集成电路闪存
页数 文件大小 规格书
57页 1243K
描述
Flash, 1MX16, 90ns, PBGA48, 8.15 X 6.15 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, VBGA-48

AM29DL162DT90VRF 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.83
最长访问时间:90 ns备用内存宽度:8
启动块:TOP命令用户界面:YES
通用闪存接口:YES数据轮询:YES
JESD-30 代码:R-PBGA-B48内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:FLASH部门数/规模:8,31
端子数量:48字数:1048576 words
字数代码:1000000最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:1MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:FBGA
封装等效代码:BGA48,6X8,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, FINE PITCH并行/串行:PARALLEL
电源:3/3.3 V认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES部门规模:8K,64K
最大待机电流:0.000005 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.045 mA表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:BALL端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM切换位:YES
类型:NOR TYPE

AM29DL162DT90VRF 数据手册

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D A T A S H E E T  
PRODUCT SELECTOR GUIDE  
Part Number  
Am29DL16xD  
Speed Option  
Standard Voltage Range: VCC = 2.7–3.6 V  
70  
70  
70  
30  
90  
90  
90  
40  
120  
120  
120  
50  
Max Access Time (ns)  
CE# Access (ns)  
OE# Access (ns)  
BLOCK DIAGRAM  
OE# BYTE#  
V
V
CC  
SS  
Upper Bank Address  
A0–A19  
Upper Bank  
RY/BY#  
X-Decoder  
A0–A19  
RESET#  
STATE  
CONTROL  
&
COMMAND  
REGISTER  
WE#  
CE#  
Status  
DQ0–DQ15  
BYTE#  
Control  
WP#/ACC  
DQ0–DQ15  
X-Decoder  
Lower Bank  
A0–A19  
Lower Bank Address  
OE# BYTE#  
6
Am29DL16xD  
21533E6 February 26, 2009  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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Flash, 1MX16, 90ns, PBGA48, 8 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-48
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16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Mem
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x8/x16 Flash EEPROM
AM29DL163CB-120EE SPANSION

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2MX8 FLASH 3V PROM, 120ns, PDSO48, TSOP-48
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Flash, 2MX8, 120ns, PDSO48, TSOP-48
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Flash, 2MX8, 120ns, PDSO48, TSOP-48