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AM29DL162DT90EF

更新时间： 2024-02-18 11:13:49

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超微 - AMD		闪存内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
57页	1258K
描述
16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory

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AM29DL162DT90EF 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	8 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-48	针数：	48
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	90 ns
其他特性：	TOP BOOT BLOCK	备用内存宽度：	8
启动块：	TOP	命令用户界面：	YES
通用闪存接口：	YES	数据轮询：	YES
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	JESD-609代码：	e0
长度：	9 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
部门数/规模：	8,31	端子数量：	48
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	1MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	3/3.3 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	8K,64K	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.045 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

AM29DL162DT90EF 数据手册

PRODUCT SELECTOR GUIDE

Part Number

Am29DL16xD

Speed Option

Standard Voltage Range: V_CC= 2.7–3.6 V

120

Max Access Time (ns)

CE# Access (ns)

OE# Access (ns)

BLOCK DIAGRAM

OE# BYTE#

Upper Bank Address

A0–A19

Upper Bank

X-Decoder

RY/BY#

A0–A19

RESET#

STATE

CONTROL

COMMAND

WE#

CE#

Status

DQ0–DQ15

BYTE#

Control

WP#/ACC

DQ0–DQ15

X-Decoder

Lower Bank

A0–A19

Lower Bank Address

OE# BYTE#

Am29DL16xD

May 26, 2004

1...3 4 567 8 9...57

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
AM29DL162DT90EI	AMD	16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Mem	获取价格
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