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ALM-12124-BLKG

更新时间： 2024-01-30 04:39:19

品牌	Logo	应用领域
安华高科 - AVAGO		开关放大器光电二极管
页数	文件大小	规格书
12页	299K
描述
50 Watt High Power SPDT Switch with LNA Module

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ALM-12124-BLKG 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	LCC24(UNSPEC)	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.33.00.01
风险等级：	5.81	安装特点：	SURFACE MOUNT
功能数量：	1	端子数量：	24
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	LCC24(UNSPEC)
电源：	5,28 V	射频/微波设备类型：	NARROW BAND MEDIUM POWER
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	表面贴装：	YES
技术：	GAAS	Base Number Matches：	1

ALM-12124-BLKG 数据手册

[1]

Absolute Maximum Rating T = 25° C

[2]

Symbol

Parameter

Units

Absolute Max.

Rx mode Thermal Resistance

LNA1: V_dd1= 5.0 V, I_dd1= 50 mA

LNA2: V_dd2= 5.0 V, I_dd2= 120 mA;

LNA1 _jc= 72.4°C/W

V_c1,max

Device Control Voltage 1

(At Rx mode)

I_{c1 ,max}

V_c2,max

I_c2,max

Device Control Current 1

(At Rx mode)

LNA2 _jc= 65.0°C/W

[2]

Tx mode Thermal Resistance

Device Control Voltage 2

(At Tx mode)

LNA1: V_dd1= 5.0 V, I_dd1= 50 mA

LNA2: V_dd2= 5.0 V, I_dd2= 120 mA;

_jc= 11.7°C/W

Device Control Current 1

(At Tx mode)

Notes:

V_bias

V_dd1,2

Device Bias Voltage

5.5

1. Operation of this device in excess of any of

these limits may cause permanent damage.

2. Thermal resistance measured using Infra-Red

Measurement Technique.

Device Voltage, RF output to ground

Gate Voltage

5.5

0.7

3. Power dissipation in Rx mode with both LNA1

P_in,max

Ant CW RF Input Power (Tx mode);

5 mins testing

dBm

+47.5

and LNA2 turned on. Board temperature T is

25° C.

LNA1: Derate at 14 mW/°C for T > 114° C.

P_in,max

Rx P_diss

Ant CW RF Input Power (Rx mode)

(Vdd = 5.0 V, Idd1 = 50 mA)

dBm

+20

+25

0.3

LNA2: Derate at 15.6 mW/°C for T > 92° C.

4. Switch Turn On Condition:

LNA2_In CW RF Input Power

(Vdd = 5.0 V, Idd2 = 120 mA)

Rx mode Total Power Dissipation ^[3]

LNA1

Tx mode: Vbias = 5 V, Vc1 = 0 V, Vc2 = 28 V

Rx mode: Vbias = 5 V, Vc1 = 28 V, Vc2 = 0 V

Rx mode Total Power Dissipation ^[3]

LNA2

0.5

Tx P_diss

T_j

Tx mode Total Power Dissipation

Junction Temperature

°C

8.70

150

T_STG

T_amb

Storage Temperature

-65 to 150

-40 to 85

Ambient Temperature

[1]

Rx/Tx Switch Operating Truth Table

Mode

Vbias (V)

Vc1 (V)

Vc2 (V)

Rx (Ant – Rx)

Tx (Ant – Tx)

Note:

1. Any state other than described above in the truth table may cause permanent damage to

the device.

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