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AK09VO PDF预览

AK09VO

更新时间： 2025-07-22 13:05:31
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 46K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.7A, Silicon,

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AK09VO 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：O-PALF-W2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.68
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：O-PALF-W2元件数量：1
端子数量：2最大输出电流：0.7 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM认证状态：Not Qualified
最大反向恢复时间：0.1 µs表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：WIRE
端子位置：AXIALBase Number Matches：1

AK09VO 数据手册

 浏览型号AK09VO的Datasheet PDF文件第2页 
Schottky Barrier Diodes 90V  
Electrical Characteristics (Ta =25°C)  
Absolute Maximum Ratings  
Others  
Mass  
Parameter  
IFSM  
(A)  
50Hz  
Half-cycle Sinewave  
Single Shot  
Tj  
(°C)  
Tstg  
(°C)  
VF  
(V)  
IR  
(mA)  
IR  
(mA)  
t
(H)  
rr  
(ns)  
Rth (j-  
)
VRM  
(V)  
IF (AV)  
(A)  
Fig.  
Type No.  
VR =VRM  
max  
VR =VRM  
IF  
(A)  
IF  
(mA)  
/IRP  
max  
(°C/ W)  
22.0  
20.0  
17.0  
15.0  
12.0  
8.0  
(g)  
Ta  
=
100°C max  
A
B
C
D
E
F
AK 09  
EK 09  
EK 19  
RK 19  
RK 39  
RK 49  
0.13  
0.7  
1.5  
10  
40  
0.7  
1.5  
1.0  
2.0  
5
0.3  
90  
–40 to +150  
0.81  
10  
100  
100/100  
0.45  
0.6  
2.0  
3.5  
50  
60  
2.0  
3.5  
3.0  
5.0  
15  
35  
1.2  
AK 09  
VF—IF Characteristics (Typical)  
VR—IR Characteristics (Typical)  
IFMS Rating  
Ta —IF(AV) Derating  
1.0  
3
1
10  
8
10  
1
=
T
a
125ºC  
100ºC  
20ms  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0.1  
0.01  
6
60ºC  
26ºC  
0.1  
4
=
T
a
125ºC  
100ºC  
60ºC  
0.01  
0.001  
2
26ºC  
0.0001  
0.001  
0
0
0
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
0
20  
40  
60  
80  
100 120  
1
1
1
5
10  
50  
50  
50  
25 35 50  
75  
100 125 150  
Ambient Temperature Ta (°C)  
Forward Voltage VF (V)  
Reverse Voltage VR (V)  
Overcurrent Cycles  
EK 09  
VF—IF Characteristics (Typical)  
VR—IR Characteristics (Typical)  
IFMS Rating  
Ta —IF(AV) Derating  
1.0  
3
1
10  
8
10  
1
=
T
a
125ºC  
100ºC  
20ms  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0.1  
0.01  
6
60ºC  
26ºC  
0.1  
4
=
T
a
125ºC  
100ºC  
60ºC  
0.01  
0.001  
0.0001  
2
26ºC  
0.001  
0
0
0
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
0
20  
40  
60  
80  
100 120  
5
10  
25  
50  
75  
100  
125 150  
Ambient Temperature Ta (°C)  
Forward Voltage VF (V)  
Reverse Voltage VR (V)  
Overcurrent Cycles  
EK 19  
VF—IF Characteristics (Typical)  
VR—IR Characteristics (Typical)  
IFMS Rating  
Ta —IF(AV) Derating  
1.5  
10  
20  
10  
40  
30  
20  
=
T
a
125ºC  
20ms  
1.2  
0.9  
0.6  
0.3  
100ºC  
1
0.1  
1
60ºC  
26ºC  
0.1  
=
T
a
125ºC  
100ºC  
60ºC  
0.01  
0.001  
10  
0
0.01  
26ºC  
0.001  
0
0
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
5
10  
25 30 50  
75  
100  
125 150  
0
20  
40  
60  
80  
100 120  
Ambient Temperature Ta (°C)  
Forward Voltage VF (V)  
Reverse Voltage VR (V)  
Overcurrent Cycles  
External Dimensions  
(Unit: mm)  
Fig.  
A
Fig.  
Fig.  
Fig.  
Fig.  
Fig.  
F
B
C
D
E
Flammability:  
UL94V-0 or Equivalent  
0.57±0.02  
0.6 ±  
0.05  
0.78 ±0.05  
0.98±0.05  
1.4 ±0.1  
0.05  
0.78±  
Cathode Mark  
Cathode Mark  
Cathode Mark  
Cathode Mark  
Cathode Mark  
Cathode Mark  
0.2  
2.4±0.1  
2.7 ±  
0.2  
2.7±  
4.0±0.2  
4.0±0.2  
6.5±0.2  
104  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AK09W SANKEN

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.7A, Silicon,
AK09WK SANKEN

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.7A, Silicon,
AK09WS SANKEN

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.7A, Silicon,
AK1-012C YFW

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 		Marking : AK1-012C; PPP : 28000; Reverse Stand-off Voltage : 12.8; Breakdown Voltage VBR @
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 		Marking : AK1-015C; PPP : 30000; Reverse Stand-off Voltage : 15; Breakdown Voltage VBR @ I
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 		Marking : AK1-058C; PPP : 11000; Reverse Stand-off Voltage : 58; Breakdown Voltage VBR @ I

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