5秒后页面跳转
AEPDH1M8LB-10 PDF预览

AEPDH1M8LB-10

更新时间: 2024-01-20 22:13:18
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 动态存储器
页数 文件大小 规格书
2页 194K
描述
x8 DRAM Module, Undefined Architecture

AEPDH1M8LB-10 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:, SIP28H(UNSPEC)Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.92访问模式:STATIC COLUMN
最长访问时间:100 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XSMA-T28JESD-609代码:e0
内存密度:8388608 bit内存集成电路类型:DRAM MODULE
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS组织:1MX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装等效代码:SIP28H(UNSPEC)封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024子类别:SRAMs
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:MIXMOS端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

AEPDH1M8LB-10 数据手册

 浏览型号AEPDH1M8LB-10的Datasheet PDF文件第2页 

与AEPDH1M8LB-10相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
AEPDH1M8LB-10N ETC x8 Nibble Mode DRAM Module

获取价格

AEPDH1M8LB-10P ETC x8 Page Mode DRAM Module

获取价格

AEPDH1M8LB-10S ETC x8 Static Column Mode DRAM Module

获取价格

AEPDH1M8LB-12 ETC x8 DRAM Module, Undefined Architecture

获取价格

AEPDH1M8LB-12N ETC x8 Nibble Mode DRAM Module

获取价格

AEPDH1M8LB-12P ETC x8 Page Mode DRAM Module

获取价格