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Datasheet > 电源电路 > 开关式稳压器或控制器> ADP3808JCPZ
ADP3808JCPZ PDF预览

ADP3808JCPZ

更新时间： 2024-01-18 14:04:04
品牌 Logo 应用领域
亚德诺 - ADI 电池开关
页数 文件大小 规格书
16页 339K
描述
High Efficiency Switch Mode Li-Ion Battery Charger

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ADP3808JCPZ 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：QFN
包装说明：HVQCCN,针数：24
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.68
Is Samacsys：N模拟集成电路 - 其他类型：BATTERY CHARGE CONTROLLER
控制技术：PULSE WIDTH MODULATION最大输入电压：22 V
最小输入电压：10 V标称输入电压：20 V
JESD-30 代码：S-XQCC-N24JESD-609代码：e3
长度：4 mm功能数量：1
端子数量：24最高工作温度：100 °C
最低工作温度：封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：HVQCCN封装形状：SQUARE
封装形式：CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1 mm表面贴装：YES
切换器配置：SINGLE最大切换频率：1000 kHz
温度等级：OTHER端子面层：TIN
端子形式：NO LEAD端子节距：0.5 mm
端子位置：QUAD宽度：4 mm
Base Number Matches：1

ADP3808JCPZ 数据手册

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ADP3808  
SPECIFICATIONS  
VCC = 20 V, EN = 5 V, REFIN = 3 V, TA = 0°C to 100°C, unless otherwise noted.1  
Table 1.  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
BATTERY VOLTAGE SENSING  
Accuracy  
TA = 25°C, 13 V ≤ VCC ≤ 21 V,  
BATADJ = 0 V or BATADJ = REFIN  
5°C ≤ TA ≤ 55°C, 13 V ≤ VCC ≤ 21 V,  
BATADJ = 0 V or BATADJ = REFIN  
13 V ≤ VCC ≤ 21 V,  
−0.4  
−0.6  
−0.8  
+0.4  
+0.6  
+0.8  
%
%
%
ΔVBAT  
BATADJ = 0 V or BATADJ = REFIN  
Input Resistance  
RBAT  
170  
0.2  
135  
1
kΩ  
μA  
%
Shutdown Leakage Current  
Overvoltage Threshold  
Overvoltage Response Time  
BATTERY VOLTAGE ADJUST  
BATADJ Input Range  
REFIN Input Range  
3-Cell Voltage Low  
3-Cell Voltage High  
4-Cell Voltage Low  
4-Cell Voltage High  
IBAT(SD)  
VBAT(OV)  
tBAT(OV)  
EN = 0 V  
1.0  
120  
VBAT(OV) to COMP < 1 V  
μs  
VBATADJ  
VREFIN  
VBAT  
VBAT  
VBAT  
0
2.0  
REFIN  
3.5  
V
V
V
V
V
BATADJ = 0 V, CELLSEL = 3.3 V  
BATADJ = REFIN, CELLSEL = 3.3 V  
BATADJ = 0 V, CELLSEL = 0 V  
BATADJ = REFIN, CELLSEL = 0 V  
12.0  
13.5  
16.0  
18.0  
VBAT  
BATTERY CURRENT SENSE AMPLIFIER  
Accuracy2  
CSADJ = REFIN, 3.9 V ≤ VCS(CM) ≤ 21 V  
CSADJ = 0.2 × REFIN, 3.9 V ≤ VCS(CM) ≤ 21 V  
−8  
−20  
0
+8  
+30  
VCC  
%
%
V
μA  
μA  
μA  
V/V  
μA  
mV  
μs  
Input Common Mode Range  
Input Bias Current—Operating  
Input Bias Current—Shutdown  
Input Bias Current—CSM  
Gain  
VCM(CS)  
IB(CSP)  
IB(CSP,SD)  
IB(CSM)  
40  
EN = 0 V  
0.1  
0.1  
31.25  
1
100  
1
1
2
AV(CS)  
CSADJ Bias Current  
IB(CSADJ)  
VCS(OC)  
tDC  
2
110  
Overcurrent Threshold2  
Overcurrent Response Time  
DRVL Shutdown Threshold  
SYSTEM CURRENT SENSE AMPLIFIER  
Input Common Mode Range  
Input Bias Current, SYSP  
Input Bias Current, SYSM  
Voltage Gain  
90  
10  
VOC > 130 mV to COMP < 1 V  
VCS(DRVLSD)  
32  
mV  
VCM(SYS)  
IB(SYSP)  
IB( SYSM)  
SYSP and SYSM to AGND  
VSYS(CM) = 19 V  
VSYS(CM) = 19 V  
22  
400  
1
V
300  
0.1  
μA  
μA  
V/V  
ꢀA  
mV  
V
mV  
μs  
mV  
VISYS/(VSYSP − VSYSM  
VISYS = 2.5 V  
)
49.5 50  
5
48  
0
51.5  
ISYS Output Current  
LIMIT Threshold  
LIMSET Input Range  
LIMIT Output Voltage Low  
LIMIT Propagation Delay Time  
VTH(LIMIT)  
VLIMSET  
VOL(LIMIT)  
tpdl(LIMIT)  
SYSP to SYSM, LIMSET = 2.5 V  
53  
58  
3.5  
75  
ILIMIT = −100 μA  
(SYSP) – (SYSM) rising > 55 mV to LIMIT going low  
SYSP to SYSM  
30  
1
EXTPWR  
EXTPWR  
EXTPWR  
EXTPWR  
17.5 22.5  
27.5  
Current Threshold  
VTH(EXTPWR)  
VTH(EXTPWR)  
VTH(EXTPWR)  
tdpl(EXTPWR)  
SYSP to AGND  
18.0 18.25 18.5  
V
Voltage Threshold  
5
1
50  
mV  
μs  
IEXTPWR = −100 μA  
Output Voltage Low  
Propagation Delay Time  
SYSP Rising > 18.5 V to EXTPWR going low  
Rev. 0 | Page 3 of 16  
 
1234567...16

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