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Datasheet > 信号电路 > 其他模拟IC> ADL5315ACPZ-R7
ADL5315ACPZ-R7 PDF预览

ADL5315ACPZ-R7

更新时间： 2024-01-31 10:20:37
品牌 Logo 应用领域
亚德诺 - ADI 模拟IC信号电路PC
页数 文件大小 规格书
20页 346K
描述
Precision Wide Range (3 nA to 3 mA) High-Side Current Mirror

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ADL5315ACPZ-R7 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：VSON,针数：8
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.59
模拟集成电路 - 其他类型：ANALOG CIRCUITJESD-30 代码：R-XDSO-N8
JESD-609代码：e3长度：3 mm
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：8最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：VSON封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE峰值回流温度（摄氏度）：260
座面最大高度：1 mm最大供电电压 (Vsup)：8 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：MATTE TIN端子形式：NO LEAD
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：2 mm
Base Number Matches：1

ADL5315ACPZ-R7 数据手册

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ADL5315  
20  
15  
20  
15  
+3 SIGMA  
10  
10  
+3 SIGMA  
5
5
AVERAGE  
AVERAGE  
0
0
–5  
–5  
–10  
–15  
–20  
–10  
–15  
–20  
–3 SIGMA  
–3 SIGMA  
–40 –30 –20 –10  
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90  
–40 –30 –20 –10  
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90  
TEMPERATURE (°C)  
TEMPERATURE (°C)  
Figure 9. Temperature Drift of VINPT with VSET = VSREF, 3-σ to Either Side of Mean  
Figure 12. Temperature Drift of VINPT with VSET = 4 V (External Voltage Source),  
3-σ to Either Side of Mean  
10m  
10  
5
300μA TO 3mA: T-RISE =  
1m  
100μ  
10μ  
1μ  
<10ns, T-FALL = <300ns  
0
30μA TO 300μA: T-RISE =  
<10ns, T-FALL = <300ns  
3mA  
3μA  
300μA  
30nA  
–5  
–10  
–15  
–20  
–25  
–30  
–35  
–40  
3μA TO 30μA: T-RISE =  
<10ns, T-FALL = <1μs  
300nA  
30μA  
3nA  
300nA TO 3nA: T-RISE =  
<20ns, T-FALL = <5μs  
30nA TO 300nA: T-RISE =  
100n  
10n  
1n  
<5μs, T-FALL = <25μs  
3nA TO 30nA: T-RISE =  
<100μs, T-FALL = <200μs  
0
50  
100  
150  
200  
250  
300  
350  
400  
100  
1k  
10k  
100k  
1M  
10M  
100M  
1000M  
TIME (μs)  
FREQUENCY (Hz)  
Figure 13. Pulse Response of IINPT to IOUT for IOUT in Decades from 3 nA to 3 mA  
Figure 10. Small-Signal AC Response of IINPT to IOUT for IINPT in  
Decades from 3 nA to 3 mA  
4.5  
10  
T-RISE FOR ALL CURRENTS ≤ 200ns  
I
= 48/(R + 3kΩ)  
LIM  
LIM  
4.0  
V
= 2.7V, V  
= V  
SREF  
8
6
POS SET  
3.5  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0
100nA  
T-FALL≤ 9.5ms  
V
= 5V, V  
SET  
= V  
SREF  
POS  
4
2
0
–2  
–4  
–6  
–8  
–10  
V
= 8V, V  
SET  
= V  
SREF  
10μA  
T-FALL≤ 180μs  
POS  
1mA  
T-FALL≤ 600ns  
–0.5  
–1.0  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
0
10  
20  
30  
40  
50  
(kΩ)  
60  
70  
80  
90  
100  
TIME (ms)  
R
LIM  
Figure 11. Pulse Response of VSET to VINPT  
(VSET Pulsed from 0 V to 4 V) for Multiple Values of IINPT  
Figure 14. Current Limit Error in Percent vs. RLIM for Multiple Voltages  
Rev. 0 | Page 7 of 20  
 
 
 
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