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ADG333ABRZ

更新时间： 2024-01-08 13:01:42
品牌 Logo 应用领域
亚德诺 - ADI 开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 127K
描述
Quad SPDT Switch

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ADG333ABRZ 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP, SOP20,.4针数：20
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：1.2
Is Samacsys：N模拟集成电路 - 其他类型：SPDT
JESD-30 代码：R-PDSO-G20JESD-609代码：e3
长度：12.8 mm湿度敏感等级：1
标称负供电电压 (Vsup)：-15 V信道数量：1
功能数量：4端子数量：20
标称断态隔离度：72 dB通态电阻匹配规范：4 Ω
最大通态电阻 (Ron)：45 Ω最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C输出：SEPARATE OUTPUT
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP20,.4封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：12/+-15 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：2.65 mm子类别：Multiplexer or Switches
最大供电电流 (Isup)：0.35 mA标称供电电压 (Vsup)：15 V
表面贴装：YES最长断开时间：145 ns
最长接通时间：175 ns切换：BREAK-BEFORE-MAKE
技术：BICMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：7.5 mm
Base Number Matches：1

ADG333ABRZ 数据手册

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ADG333A  
I
DS  
V
1
I
(OFF)  
A
S
I
(ON)  
A
D
S
D
NC  
V
D
S
D
V
D
S
D
V
V
D
S
R
= V /I  
1
ON  
DS  
Test Circuit 1. On Resistance  
Test Circuit 2. Off Leakage  
Test Circuit 3. On Leakage  
V
DD  
0.1µF  
3V  
V
DD  
50%  
50%  
V
IN  
SB  
–10V  
+10V  
D
0V  
V
V
S
OUT  
SA  
R
C
L
L
IN  
+10V  
0V  
tOFF  
300Ω  
35pF  
V
S
V
GND  
SS  
50%  
50%  
tON  
–10V  
0.1µF  
V
SS  
Test Circuit 4. Switching Tim es  
V
DD  
0.1µF  
3V  
V
DD  
V
IN  
SB  
SA  
D
V
S
V
0V  
OUT  
R
L
300Ω  
C
35pF  
L
IN  
V
S
50%  
50%  
V
OUT  
V
GND  
SS  
tOPEN  
0.1µF  
V
SS  
Test Circuit 5. Break-Before-Make Delay, tOPEN  
V
DD  
V
DD  
3V  
R
D
V
IN  
V
V
OUT  
D
0V  
D
SA  
V
IN  
C
L
10nF  
V
OUT  
∆V  
OUT  
Q
= CL x ∆V  
INJ  
OUT  
GND  
SS  
0V  
V
SS  
Test Circuit 6. Charge Injection  
V
DD  
0.1µF  
V
V
DD  
DD  
75Ω  
0.1µF  
S
D
V
DD  
V
S
V
V
IN1  
IN2  
V
OUT  
S
D
R
L
S
D
V
IN  
75Ω  
NC  
V
OUT  
V
S
V
GND  
V
SS  
SS  
GND  
R
L
75Ω  
CHANNEL TO CHANNEL  
CROSSTALK  
0.1µF  
0.1µF  
20 x LOG  
|
V
/ V  
|
S
OUT  
V
V
SS  
SS  
Test Circuit 7. Off Isolation  
Test Circuit 8. Channel-to-Channel Crosstalk  
REV. 0  
–7–  
1...45678

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