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ADF41513BCPZ

更新时间： 2024-02-27 11:00:31

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亚德诺 - ADI		信息通信管理
页数	文件大小	规格书
30页	1391K
描述
26.5 GHz, Integer N/Fractional-N, PLL Synthesizer

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技术参数
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ADF41513BCPZ 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	HVQCCN,
针数：	24	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.66	模拟集成电路 - 其他类型：	PHASE LOCKED LOOP
JESD-30 代码：	S-XQCC-N24	长度：	4 mm
功能数量：	1	端子数量：	24
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	HVQCCN
封装形状：	SQUARE	封装形式：	CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	座面最大高度：	0.8 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	BICMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	4 mm	Base Number Matches：	1

ADF41513BCPZ 数据手册

Data Sheet

ADF41513

TIMING CHARACTERISTICS

AV_DDx= AV_DD1= AV_DD2= AV_DD3= AV_DD4= AV_DD5= V_P= 3.3 V 5%, GND = 0 V, R_SET= 1.8 kΩ, dBm referred to 50 Ω, T_A= T_MIN(−40°C)

to T_MAX(+105°C), unless otherwise noted.

Table 2. Read and Write Timing

Parameter

Limit at T_MINto T_MAX

Unit

Test Conditions/Comments

t₁

t₂

t₃

t₄

t₅

t₆

t₇

t₈

t₉

12.5

ns min

ns max

LE setup time

DATA to CLK setup time

DATA to CLK hold time

CLK high duration

CLK low duration

CLK to LE setup time

LE pulse width

LE setup time to MUXOUT when MUXOUT is configured as SPI output

CLK setup time to MUXOUT when MUXOUT is configured as SPI output

Timing Diagram

t₄

t₅

CLK

t₂

t₃

DB2

(CONTROL BIT C3)

DB1

DB0 (LSB)

(CONTRO BIT C1)

DB30

DATA

DB31 (MSB)

(CONTROL BIT C2)

t₇

t₁

t₆

DB31

(MSB)

MUXOUT

DB30

DB1

DB0

t₈

t₉

Figure 2. Read and Write Timing

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