Datasheet > 信号电路 > 锁相环或频率合成电路> ADF4107BRU-REEL7

ADF4107BRU-REEL7

更新时间： 2024-02-09 17:18:44

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亚德诺 - ADI		光电二极管信息通信管理
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PLL Frequency Synthesizer

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ADF4107BRU-REEL7 技术参数

Source Url Status Check Date：	2013-05-01 14:56:35.524	是否无铅：	含铅
是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSSOP	包装说明：	MO-153AB, TSSOP-16
针数：	16	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.4	Is Samacsys：	N
模拟集成电路 - 其他类型：	PLL FREQUENCY SYNTHESIZER	JESD-30 代码：	R-PDSO-G16
JESD-609代码：	e0	长度：	5 mm
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端子数量：	16	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP16,.25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	3/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
子类别：	PLL or Frequency Synthesis Circuits	最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	BICMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	4.4 mm	Base Number Matches：	1

ADF4107BRU-REEL7 数据手册

ADF4107

TIMING CHARACTERISTICS

Table 2. (AV_DD= DV_DD= 3 V 10%, AV_DD≤ V_P≤ 5.5 V, AGND = DGND = CPGND = 0 V, R_SET= 5.1 kΩ, dBm referred to 50 Ω,

T_A= T_MAXto T_MIN, unless otherwise noted.)¹

Parameter

Limit²(B Version)

Unit

Test Conditions/Comments

DATA to CLOCK Setup Time

DATA to CLOCK Hold Time

CLOCK High Duration

CLOCK Low Duration

t₁

t₂

t₃

t₄

t₅

t₆

ns min

CLOCK to LE Setup Time

LE Pulsewidth

¹Guaranteed by design but not production tested.

²Operating temperature range (B Version) is –40°C to +85°C.

t₃

t₄

CLOCK

t₁

t₂

DB1 (CONTROL

BIT C2)

DB0 (LSB)

DB2

DB23 (MSB)

DB22

DATA

(CONTROL BIT C1)

t₆

t₅

Figure 2. Timing Diagram

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Table 3. (T_A= 25°C, unless otherwise noted.)

Parameter

Rating

Stresses above those listed under Absolute Maximum Ratings

may cause permanent damage to the device. This is a stress

rating only; functional operation of the device at these or any

other conditions above those listed in the operational sections

of this specification is not implied. Exposure to absolute

maximum rating conditions for extended periods may affect

device reliability.

AV_DDto GND¹

–0.3 V to +3.6 V

–0.3 V to +0.3 V

–0.3 V to +5.8 V

–0.3 V to V_DD+ 0.3 V

–0.3 V to V_P+ 0.3 V

–0.3 V to V_DD+ 0.3 V

AV_DDto DV_DD

V_Pto GND

V_Pto AV_DD

Digital I/O Voltage to GND

Analog I/O Voltage to GND

REFIN, RF_INA, RF_INB to GND

Operating Temperature Range

Industrial (B Version)

Storage Temperature Range

Maximum Junction Temperature

TSSOP θ_JAThermal Impedance

CSP θ_JAThermal Impedance

Lead Temperature, Soldering

Vapor Phase (60 sec)

Infrared (15 sec)

This device is a high performance RF integrated circuit with an

ESD rating of <2 kV, and it is ESD sensitive. Proper precautions

should be taken for handling and assembly.

–40°C to +85°C

–65°C to +125°C

150°C

150.4°C/W

122°C/W

215°C

220°C

Transistor Count

CMOS

Bipolar

6425

303

¹GND = AGND = DGND = 0 V.

Rev. 0 | Page 5 of 20

1 2 3 456 7 8...20

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