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ADF4002SRUZ-EP

更新时间： 2024-01-01 21:41:19

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亚德诺 - ADI		信息通信管理光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	219K
描述
Phase Detector / PLL Frequency Synthesizer

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ADF4002SRUZ-EP 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	TSSOP, TSSOP16,.25
针数：	16	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.65	模拟集成电路 - 其他类型：	PLL FREQUENCY SYNTHESIZER
JESD-30 代码：	R-PDSO-G16	长度：	5 mm
功能数量：	1	端子数量：	16
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP16,.25	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电流 (Isup)：	6 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	BICMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	4.4 mm	Base Number Matches：	1

ADF4002SRUZ-EP 数据手册

ADF4002-EP

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

T_A= 25°C, unless otherwise noted.

This device is a high performance RF integrated circuit with an

ESD rating of <2 kV, and it is ESD sensitive. Proper precautions

should be taken for handling and assembly.

Table 3.

Parameter

AV_DDto GND¹

Rating

−0.3 V to +3.6 V

−0.3 V to +0.3 V

−0.3 V to +5.8 V

−0.3 V to DV_DD+ 0.3 V

−0.3 V to V_P+ 0.3 V

−0.3 V to AV_DD+ 0.3 V

THERMAL CHARACTERISTICS

AV_DDto DV_DD

V_Pto GND¹

Table 4. Thermal Impedance

V_Pto AV_DD

Package Type

θ_JA

Unit

Digital I/O Voltage to GND¹

Analog I/O Voltage to GND¹

REF_IN, RF_INA, RF_INB to GND¹

Operating Temperature Range

Industrial

TSSOP (RU-16)

150.4

°C/W

ESD CAUTION

−55°C to +125°C

−65°C to +125°C

150°C

Storage Temperature Range

Maximum Junction Temperature

Lead Temperature, Soldering

Vapor Phase (60 sec)

Infrared (15 sec)

215°C

220°C

Transistor Count

CMOS

Bipolar

6425

303

¹GND = AGND = DGND = CPGND = 0 V.

Stresses above those listed under Absolute Maximum Ratings

may cause permanent damage to the device. This is a stress

rating only; functional operation of the device at these or any

other conditions above those indicated in the operational

section of this specification is not implied. Exposure to absolute

maximum rating conditions for extended periods may affect

device reliability.

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