Datasheet > 射频和微波 > 射频/微波放大器> ADA-4743-TR1G

ADA-4743-TR1G

更新时间： 2024-02-07 00:06:01

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安捷伦 - AGILENT		射频和微波射频放大器微波放大器
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Silicon Bipolar Darlington Amplifier

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ADA-4743-TR1G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SOT-343R	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.08	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	增益：	15 dB
最大输入功率 (CW)：	20 dBm	JESD-609代码：	e3
功能数量：	1	最大工作频率：	2500 MHz
最小工作频率：		封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：	SOT-343R	电源：	3.8 V
射频/微波设备类型：	WIDE BAND LOW POWER	子类别：	RF/Microwave Amplifiers
技术：	BIPOLAR	端子面层：	Tin (Sn)
最大电压驻波比：	1.5	Base Number Matches：	1

ADA-4743-TR1G 数据手册

ADA-4743 Absolute Maximum Ratings^[1]

Notes:

Absolute

1. Operation of this device above any one of

these parameters may cause permanent

damage.

Symbol

Parameter

Units

Maximum

I_d

Device Current

2. Ground lead temperature is 25°C.

Derate 6.1 mW/°C for TL >89°C .

3. Junction-to-case thermal resistance

measured using 150°C Liquid Crystal

Measurement method.

P_diss

P_{in max.}

T_j

Total Power Dissipation^[2]

RF Input Power

dBm

°C

370

Channel Temperature

Storage Temperature

Thermal Resistance^[3]

150

T_STG

θ_jc

°C

-65 to 150

163

°C/W

ADA-4743 Electrical Specifications

T_A= 25°C, Zo=50Ω, Pin = -25 dBm, I_d= 60 mA (unless specified otherwise)

Symbol

Parameter and Test Condition:

Frequency

Units

Min.

Typ.

Max.

Std. Dev.

I_d= 60 mA, Zo = 50Ω

V_d

Device Voltage I_d=60 mA

Power Gain (|S₂₁|²

3.3

3.8

4.3

100 MHz

16.6

16.5

900 MHz^[1,2]

∆Gp

Gain Flatness

100 to 900 MHz

0.1 to 2 GHz

0.5

1.5

F_3dB

3 dB Bandwidth

GHz

VSMR_in

VSMR_out

Input Voltage Standing Wave Ratio

Output Voltage Standing Wave Ratio

50Ω Noise Figure

0.1 to 6 GHz

1.7:1

1.5:1

100 MHz

900 MHz^[1,2]

4.1

4.2

0.11

0.16

P_1dB

OIP₃

Output Power at 1dB Gain Compression

Output 3^rdOrder Intercept Point

100 MHz

dBm

mV/°C

17.7

17.1

900 MHz^[1,2]

100 MHz^[3]

33.4

32.6

900 MHz^[1,2,3]

DV/dT

Device Voltage Temperature Coefficient

-4.9

Notes:

1. Typical value determined from a sample size of 500 parts from 3 wafers.

2. Measurement obtained using production test board described in the block diagram below.

3. I) 900 MHz OIP₃test condition: F1 = 900 MHz, F2 = 905 MHz and Pin = -25 dBm per tone.

II) 100 MHz OIP₃test condition: F1 = 100 MHz, F2 = 105 MHz and Pin = -25 dBm per tone.

50 Ohm

Transmission

(0.5 dB loss)

50 Ohm

Input

Output

Transmission

including Bias

(0.5 dB loss)

DUT

Block diagram of 900 MHz production test board used for V_d, Gain, P_1dB, OIP₃, and NF measurements.

Circuit losses have been de-embedded from actual measurements.

123 4 5 6 7...9

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