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AD8602AR

更新时间： 2024-01-01 17:21:51
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 光电二极管
页数 文件大小 规格书
25页 1280K
描述
DUAL OP-AMP, 2100 uV OFFSET-MAX, 8.2 MHz BAND WIDTH, PDSO8, MS-012AA, SOIC-8

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AD8602AR 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOIC包装说明：SOP,
针数：8Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.08放大器类型：OPERATIONAL AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)：0.001 µA标称共模抑制比：83 dB
最大输入失调电压：2100 µVJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e0长度：4.9 mm
湿度敏感等级：NOT SPECIFIED功能数量：2
端子数量：8最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
座面最大高度：1.75 mm标称压摆率：5.2 V/us
子类别：Operational Amplifier供电电压上限：6 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED标称均一增益带宽：8200 kHz
宽度：3.9 mmBase Number Matches：1

AD8602AR 数据手册

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AD8601/AD8602/AD8604  
SPECIFICATIONS  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
VS = 3 V, VCM = VS/2, TA = 25°C, unless otherwise noted.  
Table 1.  
A Grade  
Typ  
D Grade  
Typ  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
Max  
Min  
Max  
Unit  
INPUT CHARACTERISTICS  
Offset Voltage (AD8601/AD8602)  
VOS  
0 V ≤ VCM ≤ 1.3 V  
80  
500  
700  
1100  
750  
1800  
2100  
600  
800  
1600  
800  
2200  
2400  
60  
100  
1000  
30  
50  
500  
3
1100  
6000  
7000  
7000  
6000  
7000  
7000  
6000  
7000  
7000  
6000  
7000  
7000  
200  
μV  
μV  
μV  
μV  
μV  
μV  
μV  
μV  
μV  
μV  
μV  
μV  
pA  
pA  
pA  
pA  
pA  
pA  
V
−40°C ≤ TA ≤ +85°C  
−40°C ≤ TA ≤ +125°C  
0 V ≤ VCM ≤ 3 V1  
350  
80  
1300  
1100  
1300  
−40°C ≤ TA ≤ +85°C  
−40°C ≤ TA ≤ +125°C  
VCM = 0 V to 1.3 V  
−40°C ≤ TA ≤ +85°C  
−40°C ≤ TA ≤ +125°C  
Offset Voltage (AD8604)  
VOS  
CM = 0 V to 3.0 V1  
350  
V
−40°C ≤ TA ≤ +85°C  
−40°C ≤ TA ≤ +125°C  
Input Bias Current  
IB  
0.2  
25  
150  
0.1  
0.2  
25  
150  
0.1  
−40°C ≤ TA ≤ +85°C  
−40°C ≤ TA ≤ +125°C  
200  
1000  
100  
100  
500  
Input Offset Current  
IOS  
−40°C ≤ TA ≤ +85°C  
−40°C ≤ TA ≤ +125°C  
Input Voltage Range  
0
0
3
Common-Mode Rejection Ratio  
Large Signal Voltage Gain  
CMRR  
AVO  
VCM = 0 V to 3 V  
VO = 0.5 V to 2.5 V,  
RL = 2 kΩ, VCM = 0 V  
68  
30  
83  
100  
52  
20  
65  
60  
dB  
V/mV  
Offset Voltage Drift  
ΔVOS/ΔT  
2
2
μV/°C  
OUTPUT CHARACTERISTICS  
Output Voltage High  
VOH  
VOL  
IL = 1.0 mA  
–40°C ≤ TA ≤ +125°C  
IL = 1.0 mA  
2.92  
2.88  
2.95  
20  
2.92  
2.88  
2.95  
20  
V
V
mV  
mV  
mA  
Ω
Output Voltage Low  
35  
50  
35  
50  
−40°C ≤ TA ≤ +125°C  
Output Current  
Closed-Loop Output Impedance  
POWER SUPPLY  
IOUT  
ZOUT  
30  
12  
30  
12  
f = 1 MHz, AV = 1  
Power Supply Rejection Ratio  
Supply Current/Amplifier  
PSRR  
ISY  
VS = 2.7 V to 5.5 V  
VO = 0 V  
−40°C ≤ TA ≤ +125°C  
67  
80  
680  
56  
72  
680  
dB  
μA  
μA  
1000  
1300  
1000  
1300  
DYNAMIC PERFORMANCE  
Slew Rate  
SR  
RL = 2 kΩ  
To 0.01%  
5.2  
<0.5  
8.2  
50  
5.2  
<0.5  
8.2  
50  
V/μs  
μs  
MHz  
Degrees  
Settling Time  
Gain Bandwidth Product  
Phase Margin  
tS  
GBP  
Φo  
NOISE PERFORMANCE  
Voltage Noise Density  
en  
in  
f = 1 kHz  
f = 10 kHz  
33  
18  
0.05  
33  
18  
0.05  
nV/√Hz  
nV/√Hz  
pA/√Hz  
Current Noise Density  
1 For VCM between 1.3 V and 1.8 V, VOS may exceed specified value.  
Rev. G | Page 3 of 24  
 
 
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