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Datasheet > 放大器电路 > 运算放大器> AD825ARZ-16
AD825ARZ-16 PDF预览

AD825ARZ-16

更新时间： 2024-01-25 09:20:31
品牌 Logo 应用领域
亚德诺 - ADI 放大器
页数 文件大小 规格书
12页 450K
描述
Low Cost, General-Purpose High Speed JFET Amplifier

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AD825ARZ-16 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP,针数：16
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.31.00.01风险等级：1.7
放大器类型：OPERATIONAL AMPLIFIER最大平均偏置电流 (IIB)：0.0006 µA
标称共模抑制比：80 dB最大输入失调电压：5000 µV
JESD-30 代码：R-PDSO-G16JESD-609代码：e3
长度：10.3 mm湿度敏感等级：1
负供电电压上限：-18 V标称负供电电压 (Vsup)：-5 V
功能数量：1端子数量：16
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
座面最大高度：2.65 mm标称压摆率：130 V/us
子类别：Operational Amplifier供电电压上限：18 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：BIPOLAR温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30标称均一增益带宽：21000 kHz
宽度：7.5 mmBase Number Matches：1

AD825ARZ-16 数据手册

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AD825  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PIN CONFIGURATIONS  
Table 3.  
Parameter  
Supply ꢁoltage  
Internal Power Dissipation1  
NC  
–IN  
+IN  
1
2
3
4
8
7
6
5
NC  
+V  
Rating  
AD825  
S
TOP VIEW  
18 ꢁ  
OUTPUT  
NC  
(Not to Scale)  
–V  
S
Small Outline (R)  
See Figure 6  
ꢁS  
ꢁS  
See Figure 6  
−6ꢀ°C to +12ꢀ°C  
−40°C to +8ꢀ°C  
300°C  
NC = NO CONNECT  
Input ꢁoltage (Common Mode)  
Differential Input ꢁoltage  
Output Short-Circuit Duration  
Storage Temperature Range (R, R-16)  
Operating Temperature Range  
Figure 4. 8-Lead SOIC  
NC  
1
16 NC  
15 NC  
14 NC  
NC  
NC  
2
3
4
5
6
7
8
Lead Temperature Range  
(Soldering 10 sec)  
AD825  
TOP VIEW  
(Not to Scale)  
–INPUT  
+INPUT  
13 +V  
S
12 OUTPUT  
11 NC  
Stresses above those listed under Absolute Maximum Ratings  
may cause permanent damage to the device. This is a stress  
rating only; functional operation of the device at these or any  
other conditions above those indicated in the operational  
section of this specification is not implied. Exposure to absolute  
maximum rating conditions for extended periods may affect  
device reliability.  
–V  
S
NC  
NC  
10 NC  
9
NC  
NC = NO CONNECT  
Figure 5. 16-Lead SOIC  
2.5  
2.0  
T
= 150°C  
J
1 Specification is for device in free air:  
8-lead SOIC package: θJA = 1ꢀꢀ°C/W  
16-lead SOIC package: θJA = 8ꢀ°C/W  
16-LEAD SOIC PACKAGE  
1.5  
1.0  
0.5  
0
8-LEAD SOIC PACKAGE  
–50 –40 –30 –20 –10  
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90  
AMBIENT TEMPERATURE (°C)  
Figure 6. Maximum Power Dissipation vs. Temperature  
ESD CAUTION  
ESD (electrostatic discharge) sensitive device. Electrostatic charges as high as 4000 ꢁ readily accumulate on  
the human body and test equipment and can discharge without detection. Although this product features  
proprietary ESD protection circuitry, permanent damage may occur on devices subjected to high energy  
electrostatic discharges. Therefore, proper ESD precautions are recommended to avoid performance  
degradation or loss of functionality.  
Rev. F | Page ꢀ of 12  
 
 
 
12345678...12

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