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AD8228BRMZ-RL

更新时间： 2024-01-07 10:17:01
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亚德诺 - ADI 仪表放大器放大器电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
24页 593K
描述
Low Gain Drift Precision Instrumentation Amplifier

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AD8228BRMZ-RL 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：ROHS COMPLIANT, MS-012AA, SOIC-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.33.00.01风险等级：5.64
Is Samacsys：N放大器类型：INSTRUMENTATION AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)：0.0006 µA标称带宽 (3dB)：0.65 MHz
最小共模抑制比：100 dB最大输入失调电流 (IIO)：0.0004 µA
最大输入失调电压：50 µVJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3长度：4.9 mm
湿度敏感等级：1负供电电压上限：-18 V
标称负供电电压 (Vsup)：-15 V最大非线性：0.001%
功能数量：1端子数量：8
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：+-15 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.75 mm标称压摆率：2.5 V/us
子类别：Instrumentation Amplifier最大压摆率：1.2 mA
供电电压上限：18 V标称供电电压 (Vsup)：15 V
表面贴装：YES温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30最大电压增益：1.0001
最小电压增益：0.9999标称电压增益：1
宽度：3.9 mmBase Number Matches：1

AD8228BRMZ-RL 数据手册

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AD8228  
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS  
T = 25°C, ꢀS = ±±5 ꢀ, RL = ±0 kΩ, unless otherwise noted.  
MEAN: 0.20  
SD: 0.12  
MEAN: –5.5  
SD: 12.4  
100  
70  
60  
80  
60  
40  
50  
40  
30  
20  
20  
0
10  
0
–1.0  
–0.5  
0
0.5  
1.0  
1.5  
–100  
–50  
0
50  
100  
G100 SYSTEM V DRIFT RTI (µV)  
G10 SYSTEM V RTI @ 15V (µV)  
OS  
OS  
Figure 3. Typical Distribution of Input Offset Voltage (G = 10)  
Figure 6. Typical Distribution of Input Offset Voltage Drift (G = 100)  
100  
MEAN: –0.079  
SD: 0.27  
60  
MEAN: 0.29  
SD: 0.27  
80  
60  
40  
50  
40  
30  
20  
10  
20  
0
0
–1.5  
–1.0  
–0.5  
0
0.5  
1.0  
1.5  
–3  
–2  
–1  
0
1
2
3
G10 SYSTEM V DRIFT RTI (µV)  
CMRR G100 RTI (µV/V)  
OS  
Figure 7. Typical Distribution for CMR (G = 100)  
Figure 4. Typical Distribution of Input Offset Voltage Drift (G = 10)  
MEAN: 7.1  
SD: 10.1  
MEAN: 0.42  
SD: 0.08  
120  
100  
80  
80  
60  
40  
20  
0
60  
40  
20  
0
–0.5  
0
0.5  
1.0  
1.5  
–100  
–50  
0
50  
100  
NEG I  
CURRENTS ±15V (nA)  
G100 SYSTEM V RTI @ 15V (µV)  
BIAS  
OS  
Figure 8. Typical Distribution of Input Bias Current  
Figure 5. Typical Distribution of Input Offset Voltage (G = 100)  
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