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Datasheet > 放大器电路 > 仪表放大器> AD8227BRZ-R7
AD8227BRZ-R7 PDF预览

AD8227BRZ-R7

更新时间： 2024-01-01 20:14:36
品牌 Logo 应用领域
亚德诺 - ADI 仪表放大器放大器电路光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
24页 521K
描述
Wide Supply Range, Rail-to-Rail Output Instrumentation Amplifier

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AD8227BRZ-R7 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP, SOP8,.25针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.31.00.01风险等级：1.63
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：578701Samacsys Pin Count：8
Samacsys Part Category：Integrated CircuitSamacsys Package Category：Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name：r8 [SOIC_N]Samacsys Released Date：2017-01-11 11:21:59
Is Samacsys：N放大器类型：INSTRUMENTATION AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)：0.027 µA标称带宽 (3dB)：0.25 MHz
最小共模抑制比：110 dB最大输入失调电流 (IIO)：0.0015 µA
最大输入失调电压：100 µVJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3长度：4.9 mm
湿度敏感等级：1负供电电压上限：-18 V
标称负供电电压 (Vsup)：-15 V最大非线性：0.015%
功能数量：1端子数量：8
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：+-1.5/+-18/2.2/36 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.75 mm标称压摆率：0.8 V/us
子类别：Instrumentation Amplifier最大压摆率：0.6 mA
供电电压上限：18 V标称供电电压 (Vsup)：15 V
表面贴装：YES温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30最大电压增益：1000
最小电压增益：5宽度：3.9 mm
Base Number Matches：1

AD8227BRZ-R7 数据手册

 浏览型号AD8227BRZ-R7的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AD8227BRZ-R7的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AD8227BRZ-R7的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AD8227BRZ-R7的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AD8227BRZ-R7的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AD8227BRZ-R7的Datasheet PDF文件第8页 
AD8227  
+ꢀS = 2.7 ꢀ, −ꢀS = 0 ꢀ, ꢀREF = 0 ꢀ, TA = 25°C, G = 5, RL = 10 kΩ, specifications referred to input, unless otherwise noted.  
Table 3.  
Test Conditions/  
Comments  
A Grade  
Typ  
B Grade  
Typ  
Parameter  
Min  
Max  
Min  
Max  
Unit  
COMMON-MODE REJECTION RATIO VCM = 0 V to 1.7 V  
DC to 60 Hz  
G = 5  
G = 10  
G = 100  
G = 1000  
5 kHz  
90  
96  
105  
105  
100  
105  
110  
110  
dB  
dB  
dB  
dB  
G = 5  
G = 10  
G = 100  
G = 1000  
80  
86  
86  
86  
80  
86  
86  
86  
dB  
dB  
dB  
dB  
NOISE  
Total noise:  
eN = √(eNI2 + (eNO/G)2)  
Voltage Noise, 1 kHz  
Input Voltage Noise, eNI  
Output Voltage Noise, eNO  
25  
310  
28  
330  
25  
310  
28  
330  
nV/√Hz  
nV/√Hz  
RTI  
f = 0.1 Hz to 10 Hz  
G = 5  
G = 10  
G = 100 to 1000  
Current Noise  
1.5  
0.8  
0.5  
100  
3
1.5  
0.8  
0.5  
100  
3
μV p-p  
μV p-p  
μV p-p  
fA/√Hz  
pA p-p  
f = 1 kHz  
f = 0.1 Hz to 10 Hz  
VOLTAGE OFFSET  
Total offset voltage:  
VOS = VOSI + (VOSO/G)  
Input Offset, VOSI  
Average Temperature Drift  
Output Offset, VOSO  
Average Temperature Drift  
Offset RTI vs. Supply (PSR)  
G = 5  
G = 10  
G = 100  
G = 1000  
VS = 0 V to 1.7 V  
TA = −40°C to +125°C  
VS = 0 V to 1.7 V  
TA = −40°C to +125°C  
VS = 0 V to 1.7 V  
200  
2
1000  
10  
100  
1
500  
5
μV  
μV/°C  
μV  
0.2  
2
0.2  
2
μV/°C  
90  
96  
105  
105  
100  
105  
110  
110  
dB  
dB  
dB  
dB  
INPUT CURRENT  
Input Bias Current1  
TA = +25°C  
TA = +125°C  
TA = −40°C  
TA = −40°C to +125°C  
TA = +25°C  
5
5
5
20  
15  
30  
70  
27  
25  
35  
5
5
5
20  
15  
30  
70  
27  
25  
35  
nA  
nA  
nA  
pA/°C  
nA  
Average Temperature Drift  
Input Offset Current  
1.5  
1.5  
2
1.5  
1.5  
2
TA = +125°C  
TA = −40°C  
nA  
nA  
Average Temperature Drift  
REFERENCE INPUT  
RIN  
TA = −40°C to +125°C  
5
5
pA/°C  
60  
12  
60  
12  
kΩ  
μA  
V
IIN  
Voltage Range  
−VS  
+VS  
−VS  
+VS  
Reference Gain to Output  
Reference Gain Error  
1
0.01  
1
0.01  
V/V  
%
Rev. 0 | Page 5 of 24  
12345678...24

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