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AD8205WYRZ-RL

更新时间： 2024-02-21 15:16:22

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亚德诺 - ADI		运算放大器放大器电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
12页	457K
描述
Single-Supply 42 V System Difference Amplifier

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AD8205WYRZ-RL 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP, SOP8,.25	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.31.00.01	风险等级：	0.68
放大器类型：	OPERATIONAL AMPLIFIER	标称共模抑制比：	80 dB
最大输入失调电压：	4500 µV	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	长度：	4.9 mm
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端子数量：	8	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP8,.25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.75 mm
子类别：	Operational Amplifier	最大压摆率：	2 mA
供电电压上限：	12.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	3.9 mm
Base Number Matches：	1

AD8205WYRZ-RL 数据手册

Data Sheet

AD8205

PIN CONFIGURATION AND FUNCTION DESCRIPTIONS

–IN

+IN

AD8205

GND

REF

TOP VIEW

V+

REF

(Not to Scale)

OUT

NC = NO CONNECT

Figure 3. Pin Configuration

Table 3. Pin Function Descriptions

Pin No.

Mnemonic

−IN

GND

−206

−447

−432

N/A

444

456

203

508

V_REF2

−457

N/A

−472

−203

434

509

OUT

V+

Figure 2. Metallization Diagram

V_REF1

+IN

Die size is 1170 µm by 1280 µm.

Die thickness is 13 mil.

Minimum passivation opening (minimum bond pad size) is

92 µm × 92 µm.

Passivation type is 8KA USG (Oxide) + 10KA Oxynitride.

Bond pad metal composition is 98.5% Al, 1% Si, and 0.5% Cu.

Backside potential is V+.

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