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AD5254BRUZ100

更新时间： 2024-01-07 03:32:35
品牌 Logo 应用领域
亚德诺 - ADI 电位器存储
页数 文件大小 规格书
32页 576K
描述
Quad 64-/256-Position I2C Nonvolatile Memory Digital Potentiometers

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AD5254BRUZ100 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TSSOP
包装说明：TSSOP, TSSOP20,.25针数：20
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：1.71
其他特性：NONVOLATILE MEMORY; DEVICE SUPPORTS DUAL SUPPLY OPERATION标称带宽：0.04 kHz
控制接口：2-WIRE SERIAL转换器类型：DIGITAL POTENTIOMETER
JESD-30 代码：R-PDSO-G20JESD-609代码：e3
长度：6.5 mm湿度敏感等级：1
标称负供电电压：-2.5 V功能数量：4
位置数：256端子数量：20
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP20,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：3/5 V认证状态：Not Qualified
电阻定律：LINEAR最大电阻容差：20%
最大电阻器端电压：2.75 V最小电阻器端电压：-2.25 V
座面最大高度：1.2 mm子类别：Digital Potentiometers
标称供电电压：2.5 V表面贴装：YES
技术：CMOS标称温度系数：650 ppm/ °C
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
标称总电阻：100000 Ω宽度：4.4 mm
Base Number Matches：1

AD5254BRUZ100 数据手册

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AD5253/AD5254  
Data Sheet  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
Typ 1  
Max  
Unit  
POWER SUPPLIES  
Single-Supply Power Range  
Dual-Supply Power Range  
Positive Supply Current  
Negative Supply Current  
VDD  
VDD/VSS  
IDD  
VSS = 0 V  
2.7  
2.25  
5.5  
2.75  
15  
−15  
V
V
µA  
µA  
VIH = VDD or VIL = GND  
VIH = VDD or VIL = GND, VDD = 2.5 V,  
VSS = −2.5 V  
5
−5  
ISS  
EEMEM Data Storing Mode  
Current  
IDD_STORE  
VIH = VDD or VIL = GND, TA = 0°C to 105°C  
35  
mA  
mA  
mW  
EEMEM Data Restoring Mode  
IDD_RESTORE  
VIH = VDD or VIL = GND, TA = 0°C to 105°C  
2.5  
Current6  
Power Dissipation7  
PDISS  
PSS  
VIH = VDD = 5 V or VIL = GND  
ΔVDD = 5 V 10%  
ΔVDD = 3 V 10%  
0.075  
Power Supply Sensitivity  
−0.005 +0.002  
−0.010 +0.002  
+0.005 %/%  
+0.010 %/%  
DYNAMIC CHARACTERISTICS5, 8  
–3 dB Bandwidth  
Total Harmonic Distortion  
VW Settling Time  
BW  
THDW  
tS  
RAB = 10 kΩ/50 kΩ/100 kΩ  
VA = 1 V rms, VB = 0 V, f = 1 kHz  
VA = VDD, VB = 0 V,  
400/80/40  
0.05  
1.5/7/14  
kHz  
%
µs  
RAB = 10 kΩ/50 kΩ/100 kΩ  
Resistor Noise Voltage  
Digital Crosstalk  
eN_WB  
CT  
RAB = 10 kΩ/50 kΩ/100 kΩ, code =  
midscale, f = 1 kHz (thermal noise only)  
VA = VDD, VB = 0 V, measure VW with  
adjacent RDAC making full-scale change  
Signal input at A0 and measure output  
at W1, f = 1 kHz  
9/20/29  
−80  
nV/√Hz  
dB  
dB  
Analog Coupling  
CAT  
−72  
1 Typical values represent average readings at 25°C and VDD = 5 V.  
2 Resistor position nonlinearity error (R-INL) is the deviation from an ideal value measured between the maximum and minimum resistance wiper positions. R-DNL is the  
relative step change from an ideal value measured between successive tap positions. Parts are guaranteed monotonic, except R-DNL of AD5254 1 kΩ version at VDD = 2.7 V,  
IW = VDD/R for both VDD = 3 V and VDD = 5 V.  
3 INL and DNL are measured at VW with the RDAC configured as a potentiometer divider, similar to a voltage output DAC. VA = VDD and VB = 0 V. DNL specification limits  
of 1 LSB maximum are guaranteed monotonic operating conditions.  
4 Resistor Terminal A, Terminal B, and Terminal W have no limitations on polarity with respect to each other.  
5 Guaranteed by design and not subject to production test.  
6 Command 0 NOP should be activated after Command 1 to minimize IDD_RESTORE current consumption.  
7 PDISS is calculated from IDD × VDD = 5 V.  
8 All dynamic characteristics use VDD = 5 V.  
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