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ACS20D

更新时间： 2024-01-09 12:19:15

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英特矽尔 - INTERSIL		栅
页数	文件大小	规格书
8页	88K
描述
Radiation Hardened Dual 4-Input NAND Gate

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ACS20D 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DFP	包装说明：	DFP, FL14,.3
针数：	14	Reach Compliance Code：	not_compliant
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.05
系列：	AC	JESD-30 代码：	R-CDFP-F14
JESD-609代码：	e0	负载电容（CL）：	50 pF
逻辑集成电路类型：	NAND GATE	功能数量：	2
输入次数：	4	端子数量：	14
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DFP
封装等效代码：	FL14,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	Prop。Delay @ Nom-Sup：	15 ns
传播延迟（tpd）：	15 ns	认证状态：	Not Qualified
施密特触发器：	NO	筛选级别：	MIL-PRF-38535 Class V
座面最大高度：	2.92 mm	子类别：	Gates
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	FLAT
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	总剂量：	300k Rad(Si) V
宽度：	6.285 mm	Base Number Matches：	1

ACS20D 数据手册

Speciﬁcations ACS20MS

TABLE 6. APPLICABLE SUBGROUPS

CONFORMANCE GROUPS

Initial Test (Preburn-In)

METHOD

100%/5004

Sample/5005

GROUP A SUBGROUPS

READ AND RECORD

ICC, IOL/H

1, 7, 9

Interim Test 1 (Postburn-In)

Interim Test 2 (Postburn-In)

PDA

ICC, IOL/H

1, 7, 9

1, 7, 9, Deltas

1, 7, 9

Interim Test 3 (Postburn-In)

PDA

ICC, IOL/H

1, 7, 9, Deltas

2, 3, 8A, 8B, 10, 11

1, 2, 3, 7, 8A, 8B, 9, 10, 11

1, 2, 3, 7, 8A, 8B, 9, 10, 11, Deltas

1, 7, 9

Final Test

Group A (Note 1)

Group B

Subgroup B-5

Subgroup B-6

Subgroups 1, 2, 3, 9, 10, 11

Group D

NOTE:

1, 7, 9

1. Alternate Group A testing may be exercised in accordance with MIL-STD-883, Method 5005.

TABLE 7. TOTAL DOSE IRRADIATION

TEST

READ AND RECORD

CONFORMANCE GROUP

Group E Subgroup 2

NOTE:

METHOD

PRE RAD

POST RAD

PRE RAD

1, 9

POST RAD

5005

1, 7, 9

Table 4

Table 4 (Note 1)

1. Except FN test which will be performed 100% Go/No-Go.

TABLE 8. BURN-IN TEST CONNECTIONS (+125 C < TA < 139 C)

OSCILLATOR

OPEN

GROUND

1/2 VCC = 3V ±0.5V

VCC = 6V ±0.5V

50kHz

25kHz

STATIC 1 BURN-IN (Notes 1, 2)

1, 2, 4, 5, 7, 9, 10,

12, 13

3, 6, 8, 11

STATIC 2 BURN-IN (Notes 1, 2)

3, 6, 8, 11

1, 2, 4, 5, 9,

10, 12, 13

DYNAMIC BURN-IN (Notes 1, 2)

1, 2, 4, 5, 9,

10, 12, 13

NOTES:

1. Each lead except VCC and GND will have a series resistor of 500Ω ±5%.

2. No-connect pins 3 and 11 may be connected to any voltage level.

TABLE 9. IRRADIATION TEST CONNECTIONS

FUNCTION

Irradiation Circuit (Note 1)

NOTE:

OPEN

GROUND

VCC = 5V ±0.5V

1, 2, 4, 5, 9, 10, 11, 12, 13, 14

3, 6, 8, 11

1. Each pin except VCC and GND will have a series resistor of 47kΩ ±5%. Group E, Subgroup 2, sample size is 4 dice/wafer, 0 failures.

Spec Number 518815

1 2 345 6 7 8

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与ACS20D相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
ACS20D/SAMPLE	RENESAS	AC SERIES, DUAL 4-INPUT NAND GATE, CDIP14, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-14	获取价格
ACS20D/SAMPLE-02	RENESAS	AC SERIES, DUAL 4-INPUT NAND GATE, CDIP14	获取价格
ACS20DMSR	INTERSIL	Radiation Hardened Dual 4-Input NAND Gate	获取价格
ACS20DMSR-02	RENESAS	AC SERIES, DUAL 4-INPUT NAND GATE, CDIP14, METAL SEALED, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-14	获取价格
ACS20HMSR	INTERSIL	Radiation Hardened Dual 4-Input NAND Gate	获取价格
ACS20HMSR-02	RENESAS	AC SERIES, DUAL 4-INPUT NAND GATE, UUC16	获取价格

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