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ACS10D

更新时间： 2024-02-11 00:28:33
品牌 Logo 应用领域
英特矽尔 - INTERSIL 栅
页数 文件大小 规格书
8页 109K
描述
Radiation Hardened Triple Three-Input NAND Gate

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ACS10D 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：,
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.5系列：AC
JESD-30 代码：R-CDFP-F14负载电容（CL）：50 pF
逻辑集成电路类型：NAND GATE功能数量：3
输入次数：3端子数量：14
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLATPACK传播延迟（tpd）：13 ns
认证状态：Not Qualified最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

ACS10D 数据手册

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Specifications ACS10MS  
TABLE 2. AC ELECTRICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS  
GROUP  
LIMITS  
(NOTES 1, 2)  
A SUB-  
PARAMETER  
SYMBOL  
CONDITIONS  
GROUPS  
TEMPERATURE  
MIN  
MAX  
13  
UNITS  
ns  
o
Propagation Delay  
TPHL  
VCC = 4.5V, VIH = 4.5V,  
VIL = 0V  
9
+25 C  
2
2
2
2
o
o
10, 11  
9
+125 C, -55 C  
16  
ns  
o
TPLH  
VCC = 4.5V, VIH = 4.5V,  
VIL = 0V  
+25 C  
12  
ns  
o
o
10, 11  
+125 C, -55 C  
15  
ns  
NOTES:  
1. All voltages referenced to device GND.  
2. AC measurements assume RL = 500Ω, CL = 50pF, Input TR = TF = 3ns.  
TABLE 3. ELECTRICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS  
LIMITS  
PARAMETER  
SYMBOL  
CONDITIONS  
NOTE  
TEMP  
MIN  
TYP  
30  
32  
-
MAX  
UNITS  
pF  
o
Capacitance Power  
Dissipation  
CPD  
VCC = 5.0V, VIH = 5.0V,  
VIL = 0V, f = 1MHz  
1
+25 C  
-
-
-
-
-
o
+125 C  
-
pF  
o
Input Capacitance  
CIN  
VCC = 5.0V, VIH = 5.0V,  
VIL = 0V, f = 1MHz  
1
+25 C  
10  
10  
pF  
o
+125 C  
-
pF  
NOTE:  
1. The parameters listed in Table 3 are controlled via design or process parameters. Min and Max Limits are guaranteed but not directly  
tested. These parameters are characterized upon initial design release and upon design changes which affect these characteristics.  
TABLE 4. POST IRRADIATION ELECTRICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS  
RAD LIMITS  
(NOTE 1)  
PARAMETER  
Supply Current  
SYMBOL  
ICC  
CONDITIONS  
TEMP  
MIN  
-
MAX  
100  
-
UNITS  
µA  
o
VCC = 5.5V, VIN = VCC or GND  
+25 C  
o
Output Current (Source)  
Output Current (Sink)  
Output Voltage High  
IOH  
VCC = VIH = 4.5V,  
VOUT = VCC -0.4V, VIL = 0  
+25 C  
-8  
mA  
o
IOL  
VCC = VIH = 4.5V, VOUT = 0.4V,  
VIL = 0  
+25 C  
8
-
-
mA  
V
o
VOH  
VCC = 5.5V, VIH = 3.85V,  
+25 C  
VCC -0.1  
VIL = 1.65V, IOH = -50µA  
o
VCC = 4.5V, VIH = 3.15V,  
+25 C  
VCC -0.1  
-
V
VIL = 1.35V, IOH = -50µA  
o
Output Voltage Low  
VOL  
VCC = 5.5V, VIH = 3.85V,  
VIL = 1.65V, IOH = 50µA  
+25 C  
-
-
0.1  
0.1  
V
o
VCC = 4.5V, VIH = 3.15V,  
+25 C  
V
VIL = 1.35V, IOH = 50µA  
o
Input Leakage Current  
IIN  
FN  
VCC = 5.5V, VIN = VCC or GND  
+25 C  
-
-
±1  
µA  
o
Noise Immunity  
Functional Test  
VCC = 4.5V, VIH = 3.15V,  
VIL = 1.35V, (Note 2)  
+25 C  
-
V
o
Propagation Delay  
Input to Output  
TPHL  
TPLH  
VCC = 4.5V, VIH = 4.5V, VIL = 0V  
VCC = 4.5V, VIH = 4.5V, VIL = 0V  
+25 C  
2
2
16  
15  
ns  
ns  
o
+25 C  
NOTES:  
1. All voltages referenced to device GND.  
2. For functional tests, VO ≥4.0V is recognized as a logic “1”, and VO ≤0.5V is recognized as a logic “0”.  
Spec Number 518814  
3
12345678

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
ACS10D/SAMPLE RENESAS AC SERIES, TRIPLE 3-INPUT NAND GATE, CDIP14, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-14

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ACS10D/SAMPLE-02 RENESAS NAND Gate, AC Series, 3-Func, 3-Input, CMOS, CDIP14

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