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ACE9030M/IW/FP1N

更新时间： 2024-01-23 22:08:14
品牌 Logo 应用领域
MITEL 电信集成电路无线
页数 文件大小 规格书
39页 382K
描述
Radio Interface and Twin Synthesiser

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ACE9030M/IW/FP1N 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：LFQFP, QFP64,.47SQ,20Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.17
Is Samacsys：NJESD-30 代码：S-PQFP-G64
JESD-609代码：e0长度：10 mm
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：64最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LFQFP封装等效代码：QFP64,.47SQ,20
封装形状：SQUARE封装形式：FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：240电源：3.6/5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.6 mm
子类别：Other Telecom ICs最大压摆率：0.007 mA
标称供电电压：3.75 V表面贴装：YES
电信集成电路类型：TELECOM CIRCUIT温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：10 mm
Base Number Matches：1

ACE9030M/IW/FP1N 数据手册

 浏览型号ACE9030M/IW/FP1N的Datasheet PDF文件第4页浏览型号ACE9030M/IW/FP1N的Datasheet PDF文件第5页浏览型号ACE9030M/IW/FP1N的Datasheet PDF文件第6页浏览型号ACE9030M/IW/FP1N的Datasheet PDF文件第8页浏览型号ACE9030M/IW/FP1N的Datasheet PDF文件第9页浏览型号ACE9030M/IW/FP1N的Datasheet PDF文件第10页 
ACE9030  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
These characteristics apply over these ranges of conditions (unless otherwise stated):  
TAMB = – 40 °C to + 85 °C, VDD = + 3·6 to + 5·0 V, GND ref. = VSS  
A.C. Characteristics  
Parameter  
CONTROL BUS  
Clock rate CL input  
Clock duty cycle CL input  
tDS, input data set-up time  
tDH, input data hold time  
tCWL, tCWH, CL input pulse width (to bus logic)  
tCL, delay time, clock to latch  
tLW, latch pulse high time  
tLH, delay time, latch to clock  
tDSO, output data set-up time  
tDHO, output data hold time  
tZS, DATA line available to ACE9030  
tZH, DATA line released by ACE9030  
tCD, delay from received message to  
transmitted response  
Rise and Fall times, all digital inputs:  
DIGITAL OUTPUTS  
Min.  
Typ.  
Max.  
60  
Unit  
Conditions  
1008  
50  
kHz  
%
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
cycles  
of CL  
ns  
40  
80  
80  
400  
440  
230  
220  
80  
80  
80  
80  
4
See Fig. 7  
See Fig. 7  
See Fig. 7  
See Fig. 7  
See Fig. 7  
See Fig. 7  
See Fig. 8  
See Fig. 8  
See Fig. 8  
See Fig. 8  
600  
1200  
1200  
4
See Figs. 8 and 10  
50  
DOUT0 and 1 On time to VDD – 0·2 V  
DOUT0 and 1 Off time to > 1 MΩ  
DOUT5, 6 and 7 rise and fall times  
DOUT8 rise and fall time  
100  
100  
10  
µs  
µs  
µs  
µs  
100 nF load and from  
LATCHB rising edge  
30 pF load and to D.C.  
specification noise  
10  
A to D CONVERTER  
Lowest transition, 0000 0000 to 0000 0001  
Highest transition, 1111 1110 to 1111 1111  
ADC conversion time (20 cycles of CL)  
Input scanning rate (CL ÷ 40)  
Integral Non-linearity  
0·07  
3·35  
0·15  
3·45  
20  
0·23  
3·55  
V
V
µs  
Bandgap multiplier  
correctly trimmed  
CL = 1008 kHz  
25·2  
kHz  
CL = 1008 kHz  
– 1  
– 0·8  
+ 1  
+ 0·8  
3
LSB  
LSB  
LSB/0.3V  
Differential Non-linearity  
Power supply sensitivity  
0 to 10 kHz  
CRYSTAL OSCILLATOR  
Start-up time of crystal oscillator  
Crystal effective series resistance (ESR)  
Power dissipation in crystal  
5
25  
150  
ms  
Ω
µW  
50  
D to A CONVERTERS  
Full scale output level, DAC1, DAC2 & DAC3  
Zero scale output level, DAC1  
Zero scale output level, DAC2 & DAC3  
Integral Non-linearity  
3·35  
1·0  
0·3  
– 1  
– 0·5  
3·45  
3·55  
1·2  
0·5  
+ 1  
+ 0·5  
V
V
V
LSB  
LSB  
Bandgap multiplier  
trimmed to nominal  
reference voltage  
Differential Non-linearity  
Output wideband and clock noise:  
50 Hz to 1·1 MHz, flat integration  
Power supply rejection ratio  
Settling time to within 10% of end of step  
(DAC3 with external 15 kΩ resistor)  
Output load capacitance, DAC1 and DAC2  
Output load capacitance, DAC3  
Internal series resistor, DAC1 and DAC2  
DAC3 output current, sink or source  
3
6
mVrms  
dB  
µs  
30  
50 Hz to 25 kHz.  
DAC1 and DAC2  
10 pF load  
100  
30  
40  
nF  
pF  
kΩ  
mA  
To guarantee stability  
7
1·0  
15  
7
1...45678910...39

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