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AAT4900IJS-T1

更新时间： 2024-01-05 21:33:52

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13页	314K
描述
Buffered Power Half-Bridge

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AAT4900IJS-T1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	VSOC,	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.69
内置保护：	TRANSIENT	接口集成电路类型：	HALF BRIDGE BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码：	R-PDSO-C8	长度：	2 mm
功能数量：	1	端子数量：	8
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
输出电流流向：	SOURCE AND SINK	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VSOC	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.1 mm
最大供电电压：	5.5 V	最小供电电压：	2 V
标称供电电压：	5 V	表面贴装：	YES
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	C BEND
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	1.75 mm
Base Number Matches：	1

AAT4900IJS-T1 数据手册

AAT4900

Buffered Power Half-Bridge

Typical Characteristics

High Side R_DS(ON)

Low Side R_DS(ON)

0.30

0.25

0.20

0.15

0.10

0.05

0.00

0.30

0.25

V_IN= 2.7V,

I_D= 2.2A

V_IN= 2.7V,

I_D= 2.2A

0.20

0.15

V_IN= 2.7V,

I_D= 0.2A

0.10

0.05

0.00

V_IN= 2.7V,

I_D= 0.2A

V_IN= 5.5V,

I_D= 0.2A to 2.2A

V_IN= 5.5V,

I_D= 0.2A to 2.2A

-40

-20

100

120

-40

-20

100

120

Temperature (°C)

Propagation Delay vs. Input Voltage

CLK/Enable Threshold vs. Input Voltage

(C_L= 1000pF)

2.4

120

100

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

t_PLH

V_ONH

V_ONL

t_PHL

1.5

2.5

3.5

4.5

5.5

1.5

2.5

3.5

4.5

5.5

Input Voltage (V)

R_DS(ON)vs. Input Voltage

0.28

0.26

0.24

0.22

0.20

0.18

0.16

0.14

0.12

0.10

High Side

Low Side

1.5

2.5

3.5

4.5

5.5

Input Voltage (V)

4900.2006.05.1.3

1...3 4 567 8 9...13

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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