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A63L8336E-2.6F

更新时间： 2024-01-09 04:24:02

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联笙电子 - AMICC		计数器内存集成电路静态存储器时钟
页数	文件大小	规格书
17页	257K
描述
256K X 36 Bit Synchronous High Speed SRAM with Burst Counter and Pipelined Data Output

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A63L8336E-2.6F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	QFP, QFP100,.63X.87	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	最长访问时间：	2.6 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	250 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PQFP-G100	内存密度：	9437184 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	36
端子数量：	100	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX36	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QFP
封装等效代码：	QFP100,.63X.87	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.15 A	最小待机电流：	3.14 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.4 mA
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.635 mm
端子位置：	QUAD	Base Number Matches：	1

A63L8336E-2.6F 数据手册

A63L8336

Timing Waveforms (continued)

tKC

CLK

ADSP

tKL

tADSS

tADSH

ADSC

ADDRESS

tWS

tWH

GW,BWE,

BW1-BW4

(NOTE *3)

tCES

tCEH

(NOTE *2)

ADV

tDH

tOELZ

tKQ

High-Z

D(A3)

D(A6)

DIN

D(A5)

KQLZ

OEHZ

(NOTE *1)

Q(A4)

DOUT

Q(A4+3)

Q(A1)

Back-to-Back READs

Q(A2)

Q(A3)

Q(A4+1)

Q(A4+2)

Back-to-Back

WRITEs

Pass-through

READ

Single WRITE

BURST READ

(NOTE *4)

Read/Write Timing

Notes:

*1. Q(A4) refers to output from address A4. Q(A4+1) refers to output from the internal burst address immediately

following A4.

*2. Timing for CE2 and CE2 is identical to that for CE . As shown in this diagram, when CE is LOW, CE2 is

LOW and CE2 is HIGH. When CE is HIGH, CE2 is HIGH and CE2 is LOW.

*3. Byte Write enables are decided by means of a Write truth table.

*4. Pass-through occurs when data is first written, then Read in sequence.

PRELIMINARY

(July, 2005, Version 0.0)

AMIC Technology, Corp.

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