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Datasheet > 存储 > SRAM> A63L83361E-8F
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A63L83361E-8F

更新时间： 2024-01-24 09:07:51
品牌 Logo 应用领域
联笙电子 - AMICC 计数器存储内存集成电路静态存储器时钟
页数 文件大小 规格书
16页 263K
描述
256K X 36 Bit Synchronous High Speed SRAM with Burst Counter and Flow-through Data Output

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A63L83361E-8F 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：LQFP, QFP100,.63X.87Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84Is Samacsys：N
最长访问时间：8 ns其他特性：SEATED HT-CALCULATED
最大时钟频率 (fCLK)：117 MHzI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PQFP-G100长度：20 mm
内存密度：9437184 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：36功能数量：1
端子数量：100字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：256KX36输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LQFP
封装等效代码：QFP100,.63X.87封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLATPACK, LOW PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.5 mm
最大待机电流：0.015 A最小待机电流：3.14 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.3 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.465 V最小供电电压 (Vsup)：3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：14 mmBase Number Matches：1

A63L83361E-8F 数据手册

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A63L83361  
Linear Burst Address Table (MODE = LOW)  
First Address (External)  
X . . . X00  
Second Address (Internal)  
Third Address (Internal)  
X . . . X10  
Fourth Address (Internal)  
X . . . X11  
X . . . X01  
X . . . X10  
X . . . X11  
X . . . X00  
X . . . X01  
X . . . X11  
X . . . X00  
X . . . X10  
X . . . X00  
X . . . X01  
X . . . X11  
X . . . X01  
X . . . X10  
Interleaved Burst Address Table (MODE = HIGH or NC)  
First Address (External)  
X . . . X00  
Second Address (Internal)  
X . . . X01  
Third Address (Internal)  
X . . . X10  
Fourth Address (Internal)  
X . . . X11  
X . . . X01  
X . . . X00  
X . . . X11  
X . . . X10  
X . . . X10  
X . . . X11  
X . . . X00  
X . . . X01  
X . . . X11  
X . . . X10  
X . . . X01  
X . . . X00  
Absolute Maximum Ratings*  
VCC & VCCQ Supply Voltages  
VCC for all devices . . ….. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +3.3V  
VCCQ for all devices . . ….. . . . . . . . . . . . . . . . . . . +3.3V  
Operating ranges define those limits between which the  
functionally of the device is guaranteed.  
Power Supply Voltage (VCC) . . . . . . . . . . -0.5V to +4.6V  
Voltage Relative to GND for any Pin Except VCC (Vin,  
Vout) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.5V to VCC +0.5V  
Power Dissipation (PD) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W  
Storage Temperature (Tbias) . . . . . . . . . . -65°C to 150 °C  
Storage Temperature (Tstg) . . . . . . . . . . . -55°C to 125°C  
*Comments  
Stresses above those listed under "Absolute Maximum  
Ratings" may cause permanent damage to this device.  
These are stress ratings only. Functional operation of  
this device at these or any other conditions above those  
indicated in the operational sections of this specification  
is not implied or intended. Exposure to the absolute  
maximum rating conditions for extended periods may  
affect device reliability.  
Operating Ranges  
Ambient Temperature  
Commercial (C) Devices . . . . . . . . . . . . . . . 0°C to +70°C  
Industrial (I) Devices . . . . . . . . . . . . . . . -45°C to +125°C  
Recommended DC Operating Conditions  
(0°C ≤ TA ≤ 70°C, VCC, VCCQ = 3.3V+5% or 3.3V-5%, unless otherwise noted)  
Symbol  
VCC  
VCCQ  
GND  
VIH  
Parameter  
Supply Voltage (Operating Voltage Range)  
Isolated Input Buffer Supply  
Supply Voltage to GND  
Min.  
3.135  
3.135  
0.0  
Typ.  
Max.  
3.465  
3.465  
0.0  
Unit  
V
Note  
3.3  
3.3  
V
-
-
-
-
V
Input High Voltage  
2
VCC+0.3  
VCC+0.3  
0.8  
V
1, 2  
1, 2  
VIHQ  
Input High Voltage (I/O Pins)  
Input Low Voltage  
2
V
VIL  
-0.3  
V
PRELIMINARY (July, 2005, Version 0.0)  
7
AMIC Technology, Corp.  
1...567891011...16

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