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A61L6316S-15

更新时间: 2024-02-03 06:39:24
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联笙电子 - AMICC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
15页 149K
描述
64K X 16 BIT HIGH SPEED CMOS SRAM

A61L6316S-15 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:SOJ, SOJ44,.44Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.88Is Samacsys:N
最长访问时间:15 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J44长度:28.58 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:16功能数量:1
端子数量:44字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-25 °C
组织:64KX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ44,.44封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.76 mm最大待机电流:0.005 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.21 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:OTHER端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

A61L6316S-15 数据手册

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A61L6316 Series  
AC Test Conditions  
Input Pulse Levels  
0V to 3.0V  
3 ns  
Input Rise And Fall Time  
Input and Output Timing Reference Levels  
Output Load  
1.5 V  
See Figures 1 and 2  
+3.3V  
317  
W
W
I/O  
OUTPUT  
RL=50  
W
ZO=50  
W
5pF*  
351  
VT=1.5V  
* Including scope and jig.  
Figure 1. Output Load  
Figure 2. Output Load for tCLZ, tOLZ,  
tCHZ, tOHZ, tWHZ, and tOW  
Data Retention Characteristics (TA = 0°C to 70°C or -25°C to +85°C)  
Symbol  
Parameter  
Min.  
Max.  
Unit  
Conditions  
³ VCC - 0.2V  
VDR  
VCC for Data Retention  
2
3.6  
V
CE  
VCC = 2.0V  
³ VCC - 0.2V  
VIN ³ VCC - 0.2V or  
VIN £ 0.2V  
CE  
ICCDR  
Data Retention Current  
-
5
mA  
Chip Disable to Data Retention  
Time  
tCDR  
tR  
0
-
-
ns  
See Retention Waveform  
Operation Recovery Time  
TRC*  
ms  
tRC = Read Cycle Time  
(July, 2002, Version 1.1)  
11  
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