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A43L3616V-7V

更新时间: 2024-01-28 11:52:18
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联笙电子 - AMICC 动态存储器
页数 文件大小 规格书
41页 865K
描述
2M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM

A43L3616V-7V 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:TSOP2, TSOP54,.46,32Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.48访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:5.4 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):143 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:1,2,4,8JESD-30 代码:R-PDSO-G54
长度:22.22 mm内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:54字数:8388608 words
字数代码:8000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:8MX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSOP54,.46,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
连续突发长度:1,2,4,8,FP最大待机电流:0.001 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.16 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

A43L3616V-7V 数据手册

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A43L3616  
Block Diagram  
LWE  
DQM  
Data Input Register  
Bank Select  
2M X 16  
2M X 16  
2M X 16  
2M X 16  
CLK  
DQi  
Column Decoder  
ADD  
Latency & Burst Length  
LRAS  
Programming Register  
LWCBR  
LCAS  
DQM  
LRAS  
LCBR  
LWE  
Timing Register  
DQM  
CLK  
CKE  
CS  
RAS  
CAS  
WE  
(February, 2002, Version 3.0)  
2
AMIC Technology, Inc.  

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