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A43L3616AG-7F

更新时间： 2024-02-02 03:31:45

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联笙电子 - AMICC		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
41页	629K
描述
DRAM

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A43L3616AG-7F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	VFBGA,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.75	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	S-PBGA-B54	长度：	8 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	8MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	座面最大高度：	1 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

A43L3616AG-7F 数据手册

A43L3616A Series

Operating AC Parameter

(AC operating conditions unless otherwise noted)

Symbol

Parameter

Version

Unit

Note

CAS

Latency

-6

-7

-75

tRRD(min)

tRCD(min)

Row active to row active delay

RAS to

delay

CAS

tRP(min)

Row precharge time

tRAS(min)

Row active time

2,3

tRAS(max)

tRC(min)

100

μs

Row cycle time

tCDL(min)

tRDL(min)

Last data in new col. Address delay

Last data in row precharge

CLK

tCCD(min)

Col. Address to col. Address delay

CLK

Note: 1. The minimum number of clock cycles is determined by dividing the minimum time required with clock cycle time and

then rounding off to the next higher integer.

2. Minimum delay is required to complete write.

PRELIMINARY (November, 2011, Version 0.8)

AMIC Technology, Corp.

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