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A42L2604S-50F

更新时间： 2024-01-21 04:39:10

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联笙电子 - AMICC		/
页数	文件大小	规格书
25页	261K
描述
EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24

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A42L2604S-50F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SOJ, SOJ24/26,.34	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	最长访问时间：	50 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-J24
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM
内存宽度：	4	端子数量：	24
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装等效代码：	SOJ24/26,.34	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	2048
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.075 mA
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

A42L2604S-50F 数据手册

A42L2604 Series

AC Characteristics (continued) (VCC = 3.3V ± 0.3V, VSS = 0V, Ta = 0°C to +70°C or -40°C to +85°C)

Test Conditions:

Input timing reference level: VIH/VIL=2.0V/0.8V

Output reference level: VOH/VOL=2.0V/0.8V

Output Load: 2TTL gate + CL (50pF)

Assumed tT=2ns

Std

-45

-50

Symbol

Parameter

Unit

Notes

Min.

Max.

Min.

Max.

tOEH

tOEP

tPC

OE Hold Time from WE

OE High Pulse Width

Read or Write Cycle Time (EDO Page)

Access Time from CAS Precharge

(EDO Page)

tCPA

tCP

CAS Precharge Time

tPCM

EDO Page Mode RMW Cycle Time

EDO Page Mode CAS Pulse Width

(RMW)

tCRW

tRASP

tCSR

tCHR

tRPC

200K

RAS Pulse Width (EDO Page)

CAS Setup Time ( CAS -before-RAS)

CAS Hold Time ( CAS -before-RAS)

RAS to CAS Precharge Time

tOEZ

tRASS

tRPS

Output Buffer Turn-off Delay from OE

100

RAS pulse width ( -B- self refresh)

RAS precharge time ( -B- self refresh)

tCHS

-50

CAS hold time ( -B- self refresh)

PRELIMINARY

(June, 2002, Version 0.3)

AMIC Technology, Inc.

1...6 7 8910 11 12...25

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