A2F200M3E-1FG256Y

更新时间： 2024-01-15 00:41:27

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美高森美 - MICROSEMI		现场可编程门阵列可编程逻辑栅时钟
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192页	11779K
描述
SmartFusion Customizable System-on-Chip (cSoC)

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A2F200M3E-1FG256Y 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	1 MM PITCH, FBGA-256	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.82	最大时钟频率：	100 MHz
JESD-30 代码：	S-PBGA-B256	长度：	17 mm
可配置逻辑块数量：	4608	等效关口数量：	200000
输入次数：	66	逻辑单元数量：	4608
输出次数：	66	端子数量：	256
组织：	4608 CLBS, 200000 GATES	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LBGA	封装等效代码：	BGA256,16X16,40
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE
电源：	1.5,1.8,2.5,3.3 V	可编程逻辑类型：	FIELD PROGRAMMABLE GATE ARRAY
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.7 mm
子类别：	Field Programmable Gate Arrays	最大供电电压：	1.575 V
最小供电电压：	1.425 V	标称供电电压：	1.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	17 mm
Base Number Matches：	1

SmartFusion Customizable System-on-Chip (cSoC)

SmartFusion cSoC System Architecture

Bank 0

Embedded FlashROM

(eFROM)

ISP AES Decryption

Charge Pumps

Embedded NVM

(eNVM)

Cortex-M3 Microcontroller Subsystem (MSS)

Embedded SRAM

(eSRAM)

SCB

Osc.

ADC and DAC ADC and DAC

SCB

Bank 3

MSS

CCC

PLL/CCC

FPGA

Analog

Note: Architecture for A2F200

Revision 10

1 2 3 456 7 8...192

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
A2F200M3E-1FG256YC	MICROSEMI	暂无描述	获取价格
A2F200M3E-1FG256YI	MICROSEMI	暂无描述	获取价格
A2F200M3E-1FG288	MICROSEMI	SmartFusion Customizable System-on-Chip (cSoC)	获取价格
A2F200M3E-1FG484	MICROSEMI	SmartFusion Customizable System-on-Chip (cSoC)	获取价格
A2F200M3E-1FG484I	MICROSEMI	Field Programmable Gate Array, 4608 CLBs, 200000 Gates, 100MHz, 4608-Cell, CMOS, PBGA484,	获取价格
A2F200M3E-1FG484Y	MICROSEMI	Field Programmable Gate Array, 4608 CLBs, 200000 Gates, 100MHz, 4608-Cell, CMOS, PBGA484,	获取价格