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A29DL162UG-70

更新时间： 2024-02-24 00:16:12
品牌 Logo 应用领域
联笙电子 - AMICC 闪存
页数 文件大小 规格书
47页 738K
描述
16 Megabit (2M x 8-Bit/1M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory

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A29DL162UG-70 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：FBGA, BGA48,6X8,32Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.8Is Samacsys：N
最长访问时间：70 ns备用内存宽度：8
启动块：BOTTOM命令用户界面：YES
通用闪存接口：YES数据轮询：YES
JESD-30 代码：R-PBGA-B48内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
部门数/规模：8,31端子数量：48
字数：1048576 words字数代码：1000000
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：1MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：FBGA封装等效代码：BGA48,6X8,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL电源：3/3.3 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
部门规模：8K,64K最大待机电流：0.000005 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.045 mA
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
切换位：YES类型：NOR TYPE
Base Number Matches：1

A29DL162UG-70 数据手册

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A29DL16x Series  
ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE  
Parameter  
Sector Erase Time  
Typ. (Note 1)  
Max. (Note 2)  
Unit  
sec  
sec  
µs  
Comments  
0.7  
27  
5
15  
Excludes 00h programming  
prior to erasure (Note 4)  
Chip Erase Time  
Byte Programming Time  
150  
210  
120  
27  
Word Programming Time  
Accelerated Word/Byte Programming Time  
7
µs  
Excludes system-level  
overhead (Note 5)  
4
µs  
Chip Programming Time  
(Note 3)  
Byte Mode  
Word Mode  
9
sec  
sec  
6
18  
Notes:  
1. Typical program and erase times assume the following conditions: 25°C, 3.0V VCC, 10,000 cycles. Additionally, programming  
typically assumes checkerboard pattern.  
2. Under worst case conditions of 90°C, VCC = 2.7V, 100,000 cycles.  
3. The typical chip programming time is considerably less than the maximum chip programming time listed, since most bytes  
program faster than the maximum byte program time listed.  
4. In the pre-programming step of the Embedded Erase algorithm, all bytes are programmed to 00h before erasure.  
5. System-level overhead is the time required to execute the four-bus-cycle command sequence for programming. See Table 12  
for further information on command definitions.  
6. The device has a minimum erase and program cycle endurance of 10,000 cycles.  
LATCH-UP CHARACTERISTICS  
Description  
Min.  
-1.0V  
Max.  
VCC+1.0V  
+100 mA  
12.5V  
Input Voltage with respect to VSS on all I/O pins  
VCC Current  
-100 mA  
-1.0V  
Input voltage with respect to VSS on all pins except I/O pins  
(including A9,  
and  
)
RESET  
OE  
Includes all pins except VCC. Test conditions: VCC = 3.0V, one pin at time.  
PACKAGE AND PIN CAPACITANCE  
Parameter Symbol  
Parameter Description  
Test Setup  
Typ.  
Max.  
Unit  
TSOP  
BGA  
6
7.5  
5
pF  
pF  
pF  
pF  
pF  
pF  
CIN  
Input Capacitance  
VIN=0  
4.2  
8.5  
5.4  
7.5  
3.9  
TSOP  
BGA  
12  
6.5  
9
COUT  
Output Capacitance  
VOUT=0  
VIN=0  
TSOP  
BGA  
CIN2  
Control Pin Capacitance  
4.7  
Notes:  
1. Sampled, not 100% tested.  
2. Test conditions TA = 25°C, f = 1.0MHz  
DATA RETENTION  
Parameter  
Test Conditions  
150°C  
Min  
Unit  
Years  
Years  
10  
20  
Minimum Pattern Data Retention Time  
125°C  
PRELIMINARY (September, 2004, Version 0.0)  
42  
AMIC Technology, Corp.  
1...4041424344454647

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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