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BCV47

更新时间： 2024-01-08 14:11:54

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描述
NPN SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTORS

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BCV47 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	not_compliant	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.09	Is Samacsys：	N
基于收集器的最大容量：	3.5 pF	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	10000
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	220 MHz	VCEsat-Max：	1 V
Base Number Matches：	1

BCV47 数据手册

SOT23 NPN SILICON PLANAR

DARLINGTON TRANSISTORS

BCV27

BCV47

ISSUE 3 SEPTEMBER 1995

✪

FEATURES

High V_CEO

Low saturation voltage

COMPLEMENTARY TYPES BCV27 BCV28

BCV47 BCV48

PARTMARKING DETAILS

BCV27 ZFF

BCV47 ZFG

SOT23

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

BCV27

BCV47

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

800

500

100

330

°C

Continuous Collector Current

Base Current

I_C

I_B

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

P_tot

T_j:T_stg

-55 to +150

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL

BCV27

BCV47

UNIT CONDITIONS.

MIN. MAX. MIN. MAX.

Collector-Base

Breakdown Voltage

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

I_C=100µA

I_C=10mA*

I_E=10µA

Collector-Emitter

Breakdown Voltage

Emitter-Base

Breakdown Voltage

Collector Cut-Off

Current

100

µA

V_CB= 30V

100

V_CB= 60V

V_CB=30V,T_amb=150^oC

_CB=60V,T_amb=150^oC

Emitter Base

Cut-Off Current

I_EBO

100

1.0

1.5

100

V_EB=4V

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

1.0

1.5

I_C=100mA,I_B=0.1mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

Static Forward Current h_FE

Transfer Ratio

10K

I_C=100µA, V_CE=1V

I_C=10mA, V_CE=5V*

I_C=100mA, V_CE=5V*

I_C=500mA, V_CE=5V*

10K

20K

Transition Frequency f_T

170 Typical

MHz

I_C=50mA, V_CE=5V

f = 20MHz

Output Capacitance

C_obo

3.5 Typical

V_CB=10V, f=1MHz

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%

Periodic Sample Test Only.

For typical graphs see FMMT38A datasheet

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