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| 生命周期： | Contact Manufacturer | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.74 | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 0.02 mA | 最大直流栅极触发电压： | 0.7 V |
| 最大维持电流： | 3 mA | JEDEC-95代码： | TO-5 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 最大漏电流： | 0.02 mA |
| 通态非重复峰值电流： | 18 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最大通态电流： | 1600 A |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -60 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 1.6 A | 断态重复峰值电压： | 100 V |
| 重复峰值反向电压： | 100 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N3558 | SEME-LAB | Bipolar NPNP Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package |
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| 2N3558 | TI | 2N3558 |
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| 2N3558 | SSDI | Silicon Controlled Rectifier, 2A I(T)RMS, 1600mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element |
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| 2N3559 | TI | 2N3559 |
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| 2N356 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-5 |
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| 2N3560 | TI | 暂无描述 |
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