是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOJ |
包装说明: | SOJ, SOJ44,.44 | 针数: | 44 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.51 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 12 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-J44 |
长度: | 28.57 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 16 |
湿度敏感等级: | 2 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 44 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 256KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOJ |
封装等效代码: | SOJ44,.44 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 245 | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.55 mm |
最大待机电流: | 0.005 A | 最小待机电流: | 3 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.13 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 |
宽度: | 10.16 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
R1RW0416DI | RENESAS | Wide Temperature Range Version 4M High Speed |
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R1RW0416D-I | RENESAS | Wide Temperature Range Version 4M High-speed |
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R1RW0416DI_10 | RENESAS | Wide Temperature Range Version 4M High Speed |
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R1RW0416D-R | RENESAS | 4M High-speed SRAM (256-kword × 16-bit) |
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R1RW0416DSB-0PI | RENESAS | Wide Temperature Range Version 4M High Speed |
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R1RW0416DSB-2LR | RENESAS | 4M High Speed SRAM (256-kword x 16-bit) |
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