Datasheet > 2SB0873AQ

2SB0873AQ

更新时间： 2024-01-29 11:00:35

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	244K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, ROHS COMPLIANT, TO-92L-A1, 3 PIN

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SB0873AQ 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	120 MHz	Base Number Matches：	1

2SB0873AQ 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Power Transistors

2SB0873A

Silicon PNP epitaxial planar type

For low frequency power ampliﬁcation

For DC-DC converter

 Package

ꢀCode

 Features

 Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

 Large collector current I_C

TO-92L-A1

ꢀPin Name

1. Emitter

2. Collector

3. Base

 Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

Unit

–35

–30

–7

–5

Peak collector current

I_CP

–10

Collector power dissipation

Junction temperature

P_C

°C

T_j

150

Storage temperature

stg

–55 to +150

 Electrical Characteristics T_a= 25°C±3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

V_CEOI_C= –1 mA, I_B= 0

–30

–7

V_EBOI_E= –10 mA, I_C= 0

I_CBO

I_EBO

h_FE

V_CB= –10 V, I_E= 0

V_EB= –5 V, I_C= 0

V_CE= –2 V, I_C= –2A

–100

625

–1



1, 2

Forward current transfer ratio ^*

Collector-emitter saturation voltage ^*

V_CE(sat)I_C= –3A, I_B= – 0.1A

Transition frequency

f_T

V_CB= –6 V, I_E= 50 mA, f = 200 MHz

120

MHz

Collector output capacitance

C_ob

V_CB= –20 V, I_E= 0, f = 1 MHz

(Common base, input open circuited)

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. 1: Pulse measurement

2: Rank classiﬁcation

Rank

h_FE

90 to 135

120 to 205

180 to 625

Publication date : October 2008

SJD00350AED

12 3

下载PDF

与2SB0873AQ相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SB0873AR	PANASONIC	Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, RO	获取价格
2SB0873P	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 20V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| SC-51	获取价格
2SB0873Q	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 20V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| SC-51	获取价格
2SB0873R	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 20V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| SC-51	获取价格
2SB0928	PANASONIC	For Power Amplification	获取价格
2SB0928(2SB928)	ETC	パワーデバイス－パワートランジスタ－汎用電力増幅	获取价格