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HY5DS113222FM-28 - HYNIX SEMICONDUCTOR

内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
型号:
HY5DS113222FM-28
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产品描述:
512M(16Mx32) GDDR SDRAM
应用标签:
内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
文档页数/大小:
30页 / 432K
品牌Logo:
品牌名称:
HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]

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HY5DS113222FM-28

应用: 内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟

文档: 30页 / 432K

品牌: HYNIX

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是否Rohs认证
不符合
生命周期
Obsolete
IHS 制造商
SK HYNIX INC
零件包装代码
BGA
包装说明
LFBGA, BGA144,12X12,32
针数
144
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8542.32.00.28
风险等级
5.88
访问模式
FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间
0.6 ns
其他特性
AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)
350 MHz
I/O 类型
COMMON
交错的突发长度
2,4,8
JESD-30 代码
S-PBGA-B144
长度
12 mm
内存密度
536870912 bit
内存集成电路类型
DDR DRAM
内存宽度
32
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
144
字数
16777216 words
字数代码
16000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
16MX32
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
LFBGA
封装等效代码
BGA144,12X12,32
封装形状
SQUARE
封装形式
GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
1.8 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
4096
座面最大高度
1.3 mm
自我刷新
YES
连续突发长度
2,4,8
最大待机电流
0.05 A
子类别
DRAMs
最大压摆率
0.81 mA
最大供电电压 (Vsup)
2.1 V
最小供电电压 (Vsup)
1.75 V
标称供电电压 (Vsup)
1.8 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子形式
BALL
端子节距
0.8 mm
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
12 mm
Base Number Matches
1
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HY5DS113222FM(P)
512M(16Mx32) GDDR SDRAM
HY5DS113222FM(P)
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Electronics does not assume any respon-
sibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.
Rev. 0.1 / Oct. 2004
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